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LM和UMM结构GaAs三结太阳能电池在1 MeV中子辐照下的辐射效应比较
Comparison of radiation effects of LM and UMM structure GaAs triple-junction solar cells under 1 MeV neutron irradiation
Minqiang Liua · Xuqiang Liub · Guoping Xiaoa · Bobo Wanga 等12人 · Solid-State Electronics · 2025年1月 · Vol.226
摘要 研究了晶格匹配(LM)和正向失配(UMM)GaAs三结太阳能电池在1 MeV中子辐照下的输出性能。结果表明,随着中子辐照注量的增加,太阳能电池的电学性能严重退化,包括开路电压、短路电流、最大输出功率和填充因子均显著下降。同时,随着中子辐照注量的增加,太阳能电池的串联电阻增大,而并联电阻减小。当辐照注量达到6 × 10^12 n/cm²时,LM和UMM GaAs电池的最大输出功率退化程度相近,分别降至其初始值的72.9%和72.3%。通过比较积分电流密度发现,在LM电池中,电流限制子电池始终...
解读: 该研究揭示GaAs三结太阳能电池在中子辐照下的性能退化机理,对阳光电源光伏逆变器产品具有重要参考价值。研究发现辐照导致电池开路电压、短路电流下降及串并联电阻变化,这要求SG系列逆变器的MPPT算法需具备更强的弱光追踪能力和宽电压适应范围。特别是限流子电池在高辐照后发生转变的现象,启示我们在航天、极端...
基于蓝宝石衬底的高探测率快速β-Ga₂O₃日盲光电探测器
Fast β-Ga₂O₃ Solar-Blind Photodetectors With High Detectivity on Sapphire Substrates
Chen He · Jun Zheng · Yiyang Wu · Jinlai Cui 等5人 · IEEE Electron Device Letters · 2024年11月
近年来,由于具有超宽的禁带宽度,Ga₂O₃日盲光电探测器(PD)得到了广泛研究。在本研究中,采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上生长了半高宽(FWHM)为0.19°的高质量β - Ga₂O₃薄膜。制备了Ga₂O₃金属 - 半导体 - 金属光电探测器,其表现出高达1.89×10⁵(R₂₅₀ₙₘ/R₄₀₀ₙₘ)的高响应波长选择性。在10 V偏压下,该光电探测器在254 nm波长处的响应度(R)约为500 A/W,比探测率(D*)为1.7×10¹⁴琼斯,响应时间仅为1.5 ms,这...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,该β-Ga₂O₃日盲紫外光电探测器技术虽非直接应用于能量转换领域,但在新能源系统的智能化监测与安全防护方面具有潜在战略价值。 **业务协同价值分析:** 该技术的日盲特性(仅响应250-280nm紫外光)可应用于大型光伏电站和储能系统的电晕放电监测。高压设备产生的电晕会辐...