找到 9 条结果 · 储能系统技术

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储能系统技术 储能系统 储能变流器PCS GaN器件 ★ 5.0

室温下电注入的GaN基光子晶体表面发射激光器

Room-temperature electrically injected GaN-based photonic-crystal surface-emitting lasers

Tong Xu1Meixin Feng2Xiujian Sun2Rui Xi2Xinchao Li2Shuming Zhang2Qian Sun2Xiaoqi Yu3Kanglin Xiong3Hui Yang4Xianfei Zhang5Zhuangpeng Guo5Peng Chen5 · 半导体学报 · 2025年9月 · Vol.46

光子晶体表面发射激光器(PCSELs)利用二维光子晶体的布拉格衍射实现高功率、低发散角的单模输出,近年来受到广泛关注[1-3]。2023年,京都大学报道了基于GaAs的945 nm PCSEL,在连续波(CW)工作模式下单模输出功率超过50 W,光束发散角窄至0.05°,亮度达到1 GW·cm⁻²·sr⁻¹,可与传统大体积激光器相媲美[4]。

解读: 该GaN基光子晶体表面发射激光器技术对阳光电源的GaN功率器件应用具有重要参考价值。虽然研究聚焦光电子领域,但其电注入结构设计、热管理方案及GaN材料的高温稳定性特性,可为ST系列储能变流器和SG光伏逆变器中的GaN功率模块散热优化提供借鉴。特别是其室温连续工作能力验证了GaN器件在高功率密度应用中...

储能系统技术 储能系统 ★ 5.0

一种新型多联产液化空气储能系统耦合空气分离装置:热力学与经济性分析

A novel multi-generation liquid air energy storage system coupled with air separation unit: Thermodynamic and economic analysis

Boxu Yu · Xianghe Wang · Zhongzheng Wang · Jiahua Zhu 等7人 · Applied Energy · 2025年8月 · Vol.391

摘要 将空气分离装置(ASU)与液化空气储能(LAES)系统相结合,可通过共享压缩和冷却设备,提升LAES的收益潜力并缩短投资回收期。然而,目前已提出的LAES-ASU系统要么无法满足ASU连续生产的要求,要么对LAES的储能量造成限制。因此,本研究提出一种新型多联产LAES-ASU系统,通过压缩级联系统中的物流分流、液化段的流程改进以及膨胀级联中的余热再利用,实现LAES与ASU之间的高效耦合。在建立分析模型后,对耦合系统进行了参数分析,以确定最优运行参数。此外,还开展了全面的能量、㶲及经济性...

解读: 该液态空气储能(LAES)与空气分离耦合系统对阳光电源ST系列储能变流器及PowerTitan系统具有重要参考价值。57.09%往返效率和3.9年回收期证明多能互补商业模式的可行性。系统中压缩机、热交换器的能量管理优化思路可应用于我司储能系统热管理设计;多级压缩分流技术可启发PCS拓扑优化;空分产品...

储能系统技术 储能系统 ★ 5.0

用于全年节能的太阳能加热与辐射冷却集成双功能系统的理论研究

Theoretical studies on a dual-function system integrating solar heating and radiative cooling for year-round energy saving

Jiangfeng Guo · Zhiwei Wu · Fenghua Zhang · Hongjie Yu 等5人 · Solar Energy · 2025年3月 · Vol.288

摘要 太阳(6000 K)和外太空(3 K)是巨大且可持续清洁的热能与冷能来源。如何全年充分高效利用这两种能源以应对能源危机和气候变化,仍然是一个挑战。本研究提出了一种集成太阳能加热(SH)与辐射冷却(RC)技术的双功能系统,该系统具有四种运行模式:蓄热、供热风供应、蓄冷和供冷风供应。在太阳能加热与蓄热模式中,采用基于石墨烯和银的纳米流体作为传热介质,其热量通过换热器传递给空气;在蓄冷与供冷风模式中,采用在大气窗口具有高发射率的优化多层薄膜结构,并以水和空气作为传热介质。通过四种模式之间的相互切...

解读: 该太阳能供热与辐射制冷双功能系统对阳光电源储能产品线具有重要启示。系统通过四种运行模式实现全年能量管理,与我司PowerTitan储能系统的多场景应用理念高度契合。其热/冷存储技术可与ST系列PCS结合,优化能量时移策略;纳米流体传热技术为液冷储能系统提供新思路。月均16590kW·h供热和8200...

储能系统技术 储能系统 ★ 5.0

含水层压缩空气储能的非线性井筒多相流与热-水-力耦合分析

Coupled nonlinear wellbore multiphase flow and thermo-hydro-mechanical analysis of compressed air energy storage in aquifers

Yi Li · Qian Zhou · Hao Yu · Yi Li 等9人 · Applied Energy · 2025年1月 · Vol.377

摘要 含水层压缩空气储能(CAESA)是一种低成本、大规模的储能技术。为研究储层力学效应对CAESA的影响,本文开发了一个耦合非线性井筒多相流与热-水-力(THM)过程的模拟器THMW-Air,并利用Pittsfield示范CAESA项目的数据验证了其有效性。采用未包含力学过程的T2Well-EOS3模拟器对CAESA的水动力、热力学和力学行为及其能量效率进行了分析与对比。结果表明,在考虑储层力学效应后,Pittsfield现场模拟压力与监测压力之间的相关系数由0.9046提高至0.9211。C...

解读: 该压缩空气储能(CAES)热-流-力耦合仿真技术对阳光电源储能系统具有重要参考价值。研究揭示的温度-压力-机械应力耦合效应可优化ST系列PCS和PowerTitan储能系统的热管理策略,特别是注入温度对效率的影响(50°C时效率降低9.75%)为电化学储能热控制提供借鉴。多物理场耦合建模思路可应用于...

储能系统技术 储能系统 ★ 5.0

一种基于级联H桥变换器储能系统的新型容错运行方法以避免过充

A Novel Fault-Tolerant Operation Approach for Cascaded H-Bridge Converter-Based Battery Energy Storage Systems to Avoid Overcharge

Qian Xiao · Haolin Yu · Yu Jin · Hongjie Jia 等6人 · IEEE Transactions on Industrial Electronics · 2024年11月

摘要:基于传统基频零序电压(FFZSV)注入的容错运行方法,在低功率因数且子模块(SM)发生故障的情况下会导致功率反转,这使得基于级联 H 桥变流器的电池储能系统(CHB - BESS)存在过充风险。为解决这一问题,本文为 CHB - BESS 提出了一种新型容错运行方法。首先,分析了基于传统 FFZSV 注入方法的功率反转机理和过充风险。在此基础上,根据安全的 FFZSV 注入区域将 CHB - BESS 的运行状态划分为三个阶段,对 FFZSV 进行修正,并在必要时注入负序电流。这样,三相电...

解读: 从阳光电源储能系统业务视角来看,这项针对级联H桥变换器的容错运行技术具有重要的工程应用价值。级联H桥拓扑是阳光电源中高压储能系统的核心架构之一,其模块化设计在提升系统可靠性的同时,也带来了子模块故障时的功率管理难题。 该论文揭示的关键问题——低功率因数工况下传统零序电压注入方法导致的功率反向和过充...

储能系统技术 储能系统 SiC器件 工商业光伏 ★ 4.0

1.2-kV平面栅与沟槽栅SiC MOSFET在体二极管重复脉冲电流应力下的退化研究

Investigation on Degradation of 1.2-kV Planar and Trench SiC MOSFETs Under Repetitive Pulse Current Stress of Body Diode

Hengyu Yu · Michael Jin · Jiashu Qian · Monikuntala Bhattacharya 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年6月

本文首次通过实验研究了最新商用 1.2 千伏碳化硅(SiC)平面栅、增强型对称沟槽和非对称沟槽结构金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的体二极管可靠性。所提出的测试平台通过重复脉冲电流模式,可在合理的热限制内实现大电流测试。实验结果揭示了大面积 1.2 千伏商用 SiC MOSFET 存在双极退化风险。对退化现象和机制进行了表征与分析,包括由衬底产生的基面位错(BPD)导致的第一象限和第三象限特性退化,以及由制造工艺产生的 BPD 导致的第三象限膝点电压($V_{\text{on}}$)...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于1.2kV SiC MOSFET体二极管可靠性的研究具有重要的战略意义。SiC功率器件是我们光伏逆变器和储能变流器的核心部件,其可靠性直接影响系统的长期稳定运行和全生命周期成本。 该研究揭示的双极退化风险对我们的产品设计具有重要警示作用。在实际应用中,逆变器和储能...

储能系统技术 储能系统 SiC器件 工商业光伏 ★ 4.0

商用1.2-kV SiC沟槽型MOSFET在重复短路应力下的失效与退化分析

Failure and Degradation Analysis of Commercial 1.2-kV SiC Trench MOSFETs Under Repetitive Short-Circuit Stress

Hengyu Yu · Michael Jin · Limeng Shi · Monikuntala Bhattacharya 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年2月

本研究对承受重复短路(RSC)应力的先进商用1.2 kV碳化硅(SiC)沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的失效机制和退化模式进行了深入分析。对两种商用沟槽MOSFET,即增强型双沟槽MOSFET(RDT - MOS)和非对称沟槽MOSFET(AT - MOS),在最大单次短路(SC)能量的50%、漏源电压为800 V的条件下进行了测试。通过分析漏电流路径确定了失效机制,主要包括介电层的热致破裂以及高温导致的沟槽失效。与单次短路测试中失效主要由热失控驱动不同,重复短路应力下的失效归...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于1.2kV SiC沟槽MOSFET在重复短路应力下的失效机制研究具有重要的工程应用价值。SiC功率器件是我们光伏逆变器和储能变流器核心功率拓扑的关键元件,其可靠性直接影响系统的安全性和全生命周期成本。 该研究揭示了两种商用沟槽型SiC MOSFET在重复短路工况下...

储能系统技术 储能系统 ★ 4.0

基于人工表面等离激元的小型化高共模抑制平衡式滤波功分器

Compact Balanced Filtering Power Divider With High Common Mode Suppression Level Using Spoof Surface Plasmon Polaritons

Yi Song · Jiehao Yu · Qian Yang · Mengran Zhao 等6人 · IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology · 2025年1月

本文基于类表面等离子体激元(SSPPs)提出了一种具有可控截止频率的紧凑型超宽带平衡滤波功分器(FPD)。首先,为实现尺寸小型化,采用工字形微带结构设计了一种紧凑型 SSPP 单元,并对其色散特性进行了分析。其次,利用微带 - 槽线(MTS)过渡馈电结构和 T 形槽线结构设计了一种具有高共模(CM)抑制水平的平衡高通功分器(PD)。MTS 过渡馈电结构实现了差模(DM)高通响应和高共模抑制水平,T 形槽线结构实现了功率分配功能。然后,将平衡高通 PD 与低通 SSPP 结构相结合,设计了一款中心...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于仿表面等离激元(SSPP)的平衡滤波功分器技术在电磁兼容和信号处理层面具有一定的参考价值,但与公司核心业务的直接关联度有限。 该技术的核心创新在于通过I型微带结构实现小型化设计,并利用微带-槽线转换和T型槽线结构实现差模高通响应和高达35dB的共模抑制。对于阳光电...

储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 4.0

具有非钳位感性开关和紫外脉冲激光辐照下抗浪涌能量能力的高鲁棒性p-GaN栅极HEMT

Highly Robust p-GaN Gate HEMT With Surge-Energy Ruggedness Under Unclamped Inductive Switching and UV Pulse Laser Irradiation

Feng Zhou · Tianyang Zhou · Can Zou · Rong Yu 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2024年11月

非雪崩型 p - GaN 栅高电子迁移率晶体管(HEMT)对于动态过电压( ${V}_{\text {over.}}\text {)}$ )和瞬态浪涌能量( ${E}_{\text {sur.}}\text {)}$ )冲击的鲁棒性对于器件应用至关重要,尤其对于高功率开关应用而言。在本研究中,通过精心构建从漏极到源极的能量耗散通道,所提出的器件成功具备了承受动态过电压并安全耗散浪涌能量的能力,实现了 1.85 kV 的最大动态过电压( ${V}_{\text {over.}}$ )和 11.7 ...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项p-GaN栅极HEMT器件的鲁棒性突破具有重要战略意义。该技术在非雪崩模式下实现了1.85kV的动态过压承受能力和11.7 J/cm²的浪涌能量耐受度,这一性能指标直接契合我们光伏逆变器和储能变流器在实际工况中面临的关键痛点。 在光伏逆变器应用中,电网扰动、雷击浪涌和...