找到 4 条结果 · 储能系统技术
基于改进非线性跟踪微分器的永磁同步电机位置辨识算法
Position Identification Algorithm of PMSM Based on Improved Nonlinear TD Method
Anchen Yang · Mingyao Lin · Peizhao Cai · Lun Jia 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2024年10月
针对永磁同步电机在零低速运行下的位置辨识问题，提出一种基于改进非线性跟踪微分器（TD）的新方法。传统高频注入法存在相位滞后与抗干扰能力差等问题，影响动静态性能。该方法通过优化TD结构，降低35%的跟踪延迟，提升30%的噪声抑制能力。经数学分析与频扫实验验证，所提方法可有效抑制逆变器非线性引起的六次谐波干扰，衰减达-43 dB/dec，仿真与实验结果表明其在稳态与动态工况下均具有优越性能。
解读: 该改进非线性TD位置辨识算法对阳光电源储能与电驱产品具有重要应用价值。在ST系列储能变流器中，该技术可优化PMSM飞轮储能系统的零低速控制精度，35%的跟踪延迟降低和30%的噪声抑制提升直接改善储能系统动态响应性能。在新能源汽车电机驱动领域，该算法可替代传统高频注入法，-43dB/dec的六次谐波抑...
具有开路故障抑制能力的改进解耦控制在双余度永磁同步电机中的应用
Improved Decoupling Control With Open Circuit Fault Suppression for Dual-Redundancy Permanent Magnet Synchronous Motor
Shuai Wang · Jianyong Su · Guijie Yang · Guodong Sun · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2024年9月
针对双余度永磁同步电机（DR-PMSM）存在两套绕组间强耦合导致控制复杂，以及开路故障（OCF）发生后切除前产生较大转矩脉动的问题，本文分析了DR-PMSM的谐波分布与耦合特性，指出现有方法的局限性；提出一种改进解耦控制策略，利用电机固有耦合抑制OCF影响，并对比验证了新旧解耦控制的差异；进一步设计基于冗余结构的故障后处理流程，消除OCF效应。最终构建了包含解耦控制、故障抑制与消除的完整容错控制方案。
解读: 该双余度电机解耦控制与容错技术对阳光电源新能源汽车驱动系统及大型储能飞轮储能应用具有重要价值。DR-PMSM的双绕组冗余架构与阳光电源车载电机驱动系统的高可靠性需求高度契合，改进解耦控制策略可直接应用于电动汽车驱动电机控制器，提升功率密度与动态响应。开路故障抑制技术为PowerTitan储能系统的飞...
基于级联多电平变换器的混合储能系统有功功率控制
The Active Power Control of Cascaded Multilevel Converter Based Hybrid Energy Storage System
Wei Jiang · Chengwei Zhu · Chen Yang · Lei Zhang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年8月
级联多电平变换器（CMC）因其结构简单、电能质量高及输出电压等级高等优点，被广泛应用于储能系统。然而，由于非对称功率分配问题，CMC在混合储能系统（HESS）中的应用面临挑战。本文提出了一种用于CMC型HESS的新型拓扑结构，旨在解决功率分配与控制难题。
解读: 该研究针对级联多电平变换器（CMC）在混合储能系统中的功率分配难题，对阳光电源PowerTitan及ST系列大功率储能变流器（PCS）具有重要参考价值。随着储能系统向高压化、大容量化发展，CMC拓扑能有效降低输出谐波并提升系统效率。建议研发团队关注该拓扑在处理异构电池（如锂电+超级电容）混合储能场景...
高压射频应力下GaN HEMT中阻抗依赖性退化：电热与陷阱机制
Impedance-dependent degradation in GaN HEMTs under high-voltage RF stress: Electro-thermal and trap mechanisms
Linling Xu · Hui Guo · Nanjing Electronic Devices Institute · Jiaofen Yang 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年7月 · Vol.127
研究了在高压射频应力下，不同负载阻抗条件下GaN高电子迁移率晶体管的退化行为。实验发现器件退化程度显著依赖于负载阻抗，低阻抗时退化更严重。结合电学与热学分析，表明高阻抗下自热效应更强，但低阻抗时更大的漏极电流导致焦耳热集中和电场加速，加剧了缺陷生成与载流子俘获。通过瞬态电流与脉冲I-V测试，识别出浅能级陷阱的激活是退化主因，并揭示了电热耦合与陷阱响应的协同作用机制。
解读: 该GaN HEMT阻抗依赖性退化机制研究对阳光电源功率器件应用具有重要价值。研究揭示的低阻抗下电流集中导致焦耳热与电场协同加速陷阱生成机制，可直接指导ST储能变流器和SG光伏逆变器中GaN器件的阻抗匹配设计。通过优化负载阻抗避开高退化区域，可提升PowerTitan储能系统和充电桩中GaN功率模块的...