找到 3 条结果 · 储能系统技术

排序:
储能系统技术 并网逆变器 储能系统 可靠性分析 ★ 5.0

基于阵列换能器的水下抗失调超声功率传输系统

An Underwater Anti-Misalignment UPT System Based on Array Transducers

Sumin Han · Jingli Gao · Shangcong Tian · Jiaoxin Jia · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年8月

提出基于阵列换能器的水下超声功率传输UPT系统以改善失调容限。阵列换能器通过多单元协同工作扩大有效传输区域,提高水下移动设备充电鲁棒性。实验验证该系统在水下环境和失调条件下的优越性能,显著提升传输稳定性和效率。

解读: 该水下超声功率传输研究对阳光电源特种应用场景有前瞻价值。虽然超声传输与阳光主营业务差异较大,但抗失调阵列技术思路可借鉴用于阳光水下AUV无线充电方案设计。该研究对阳光拓展海洋新能源应用有启发意义。...

储能系统技术 储能系统 ★ 5.0

基于可重构S/SP补偿的负载无关CC与CV模式感应式电力传输系统设计

Design of Load-Independent CC and CV Mode Inductive Power Transfer System Based on Reconfigurable S/SP Compensation

Ping Wang · Yanming Liu · Qian Li · Zixu Pang 等5人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2024年12月

本文提出一种新型二次侧可重构S/SP(R-S/SP)补偿网络及参数设计方法。该网络通过开关切换实现无需通信的负载无关恒流模式(CCM)与恒压模式(CVM)重构。基于双端口网络传输矩阵法,详细推导了通用设计方法。通过调节参数因子,R-S/SP拓扑可在宽负载范围内维持零电压开关特性,并在偏移容忍条件下保持电压与电流增益稳定,且增益可调。实验研制了0.6 MHz、108 W的IPT样机,CVM输出72 V,CCM输出1.5 A。结果表明,系统在全阻抗范围内实现了CCM与CVM的负载无关切换,在±21%...

解读: 该可重构S/SP补偿IPT技术对阳光电源新能源汽车产品线具有重要应用价值。其负载无关CC/CV模式切换特性可直接应用于车载OBC充电机和无线充电桩设计,实现无通信协议的恒流预充与恒压充电自动切换,简化控制系统。0.6MHz高频化设计与ZVS软开关技术可借鉴至SiC/GaN功率器件应用,提升ST储能变...

储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 4.0

基于氩中性束刻蚀的E模凹栅GaN MOSHEMT实现1.48 dB噪声系数用于低噪声放大器应用

1.48-dB-Noise Figure E-Mode Recessed-Gate GaN MOSHEMT by Argon-Based Neutral Beam Etching for LNA Applications

Wenbo Ye · Junmin Zhou · Han Gao · Haowen Guo 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年2月

本研究针对低噪声放大器(LNA)应用,对氮化镓(GaN)增强型(E 型)凹槽栅高电子迁移率晶体管(HEMT)的器件特性进行了全面表征和研究。通过低损伤的基于氩气的中性束蚀刻(Ar - NBE)技术,凹槽栅 HEMT 实现了 0.5 V 的正电压阈值(<inline - formula xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink"> <tex - math nota...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于氩离子中性束刻蚀技术的增强型GaN MOSHEMT器件研究具有重要的战略参考价值,但其直接应用价值相对有限。 该论文聚焦于低噪声放大器(LNA)应用的GaN器件优化,实现了1.48 dB的超低噪声系数和0.5V的正阈值电压。从技术角度看,增强型GaN器件的常开特性...