S. Hamzeloui · A. M. Arabhavi · F. Ciabattini · M. Ebrahimi 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年1月

薄集电极InP/GaInAsSb双异质结双极型晶体管（DHBT）的开基极集电极-发射极击穿电压（BVCEO）和开发射极集电极-基极击穿电压（BVCBO）显著高于相同集电层结构的InP/GaAsSb DHBT，分别提升20%和43%。研究表明，GaInAsSb基区使BVCEO达到由碰撞电离决定的理论极限值，首次在缩放InP DHBT中实现该性能。性能提升源于GaInAsSb抑制了基区价带与InP集电区导带间的带间隧穿。实测与理论计算一致，验证了机制的准确性。该方法无需调整集电区设计即可提升击穿电压...

解读: 该InP/GaInAsSb DHBT击穿电压优化技术对阳光电源功率半导体器件应用具有重要参考价值。研究通过材料能带工程抑制隧穿效应，在不牺牲高频性能前提下提升器件耐压20%-43%，该思路可借鉴至SiC/GaN功率器件优化中。对于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器，更高击穿电压的功率器件可提升系...