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基于全硅的两级电压源逆变器及其降低开关损耗与提高PWM谐波频率的专用调制策略
Full-Si-Based Two-Stage VSI and Its Specialized Modulation Strategy to Reduce Switching Power Loss and Increase PWM Harmonic Frequency
| 作者 | Peiran Zhang · Shanming Wang · Hongchao Li |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年5月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | PWM控制 三相逆变器 功率模块 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 全硅基电压源逆变器 (VSI) 两级逆变器 开关功率损耗 PWM 调制策略 电磁噪声 电机驱动 电力电子 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种基于全硅（Full-Si）的两级电压源逆变器（VSI）及其专用调制策略，旨在降低开关损耗并提高PWM噪声频率。针对全硅逆变器中PWM引起的高频电磁噪声限制，该研究通过优化调制方案，在提升开关频率的同时有效控制了损耗，为电机驱动及电力电子变换应用提供了性能优化方案。
English Abstract
This article proposed a full-Si-based two-stage voltage source inverter (VSI) along with its specialized modulation strategy aimed at reducing switching power loss and increasing pulsewidth modulation (PWM) noises frequency. In full-Si-based VSIs, PWM-induced high-frequency electromagnetic noise is an inherent limitation in motor drive applications. Although increasing PWM frequency can mitigate t...
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SunView 深度解读
该研究提出的两级逆变架构及新型调制策略，对阳光电源的组串式光伏逆变器及储能变流器（PCS）具有重要参考价值。虽然文章侧重于全硅（Full-Si）方案，但其降低开关损耗与提升PWM频率的思路，可优化逆变器的功率密度与散热设计。在阳光电源的产品线中，该技术可应用于提升中小型逆变器的效率，并改善电磁兼容性（EMC）表现。建议研发团队评估该调制策略在三相组串式逆变器中的移植可行性，以进一步优化整机效率并降低磁性元件体积。