用于高压直流阀中压接式IGBT非侵入式电流分布监测的高抗干扰磁场探头

High Interference-Resistant Magnetic Field Probe for Non-Invasive Current Distribution Monitoring in Press Pack IGBTs of HVDC Valves

作者	Yuanfang Lu · Hong Shen · Zhonghao Dongye · Ming Li · Hui Su · Xiangyu Zhang · Lei Qi
期刊	IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期	2025年1月
技术分类	功率器件技术
技术标签	IGBT 功率模块可靠性分析故障诊断
相关度评分	★★★★ 4.0 / 5.0
关键词	压接式 IGBT 高压直流输电阀组电流不平衡磁场探头非侵入式监测电磁干扰电流分布

语言:

中文摘要

压接式IGBT（PP IGBT）的电流不平衡会影响器件寿命及高压直流（HVDC）阀的安全运行。外部磁场可反映内部电流分布以预警不平衡。然而，HVDC阀紧凑的结构与高频电磁环境带来了显著干扰。本文提出一种高抗干扰磁场探头，旨在实现对PP IGBT电流分布的非侵入式监测。

English Abstract

Current imbalance in press pack insulated-gate bipolar transistor (PP IGBT) impacts the device's lifespan and high-voltage direct-current (HVDC) valves' safe operation. The external magnetic field can reveal the internal current distribution of PP IGBT, warning current imbalance. However, the compact structure and high-frequency electromagnetic environment of HVDC valves introduce significant inte...

SunView 深度解读

该技术对阳光电源的高功率密度产品线（如集中式光伏逆变器、大型储能系统PowerTitan系列）具有重要参考价值。在大型功率模块中，电流不平衡是导致IGBT过热失效的主要原因。通过引入非侵入式磁场监测技术，阳光电源可提升iSolarCloud智能运维平台在功率器件层面的故障预警能力，实现从“事后维修”向“状态监测与预测性维护”的转变。建议研发团队关注该探头的抗干扰设计，以优化高功率密度变流器内部复杂电磁环境下的器件可靠性评估。