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基于IGCT的高容量直流变压器非对称拓扑设计与准零损耗开关复合调制

Asymmetric Topology Design and Quasi-Zero-Loss Switching Composite Modulation for IGCT-Based High-Capacity DC Transformer

作者 Feng An · Biao Zhao · Bin Cui · Yiqing Ma · Xueyin Zhang · Xueteng Tang · Liang Dong
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2023年4月
技术分类 拓扑与电路
技术标签 DC-DC变换器 功率模块 多电平 双向DC-DC
相关度评分 ★★★★ 4.0 / 5.0
关键词 IGCT 大容量DC-DC变换器 非对称拓扑 准零损耗开关 功率密度 中压 电力变换
语言:

中文摘要

中压大容量直流变压器(DCT)是智能配电网的关键环节。本文针对基于集成门极换流晶闸管(IGCT)的高容量直流变压器(IGCT-HDCT),提出了一种非对称拓扑设计与准零损耗开关复合调制策略,旨在提升单模块电压与容量等级,从而提高功率密度并降低系统成本。

English Abstract

Medium-voltage large-capacity dc transformer (DCT) is the key energy conversion link for building intelligent distribution grid. Increasing the voltage and capacity of single module in DCT can effectively improve the power density and reduce the system cost. Aiming at the integrated gate commutated thyristor (IGCT)-based high-capacity dc transformer (IGCT–HDCT), the asymmetric topology design and ...
S

SunView 深度解读

该研究聚焦于高压大容量直流变换技术,对阳光电源的集中式光伏逆变器及大型储能系统(如PowerTitan系列)具有重要参考价值。随着光储系统向更高电压等级(1500V及以上)演进,IGCT作为高压大功率器件,在提升系统功率密度和降低损耗方面潜力巨大。建议研发团队关注该非对称拓扑在大型直流汇流及储能变流器(PCS)中的应用潜力,特别是在追求更高效率和更低系统成本的直流配电场景下,可作为未来大功率电力电子变换器架构的技术储备。