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电动汽车驱动
★ 4.0
实现超宽禁带半导体ε-Ga2O3的自支撑单晶取向薄膜及其在光电子器件应用中的前景
Realizing freestanding single-crystal oriented membranes of ultrawide-bandgap semiconductor ε-Ga2O3 and their prospects in optoelectronic device applications
| 作者 | Tao Zhang · Jiaying Shen · Dianmeng Dong · Qingyi Zhang · Tiejun Wang · Fan Zhang |
| 期刊 | Applied Physics Letters |
| 出版日期 | 2025年1月 |
| 卷/期 | 第 126 卷 第 10 期 |
| 技术分类 | 电动汽车驱动 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 超宽禁带半导体 ε - Ga₂O₃ 单晶取向膜 光电器件应用 独立式 |
语言:
中文摘要
本文报道了高质量自支撑单晶ε-Ga2O3取向薄膜的制备方法，该材料具有超宽禁带特性，展现出优异的热稳定性和化学惰性。通过异质外延生长结合剥离技术，成功获得可转移的柔性薄膜，并系统表征其晶体结构与光学性能。结果表明，ε-Ga2O3薄膜具有明确的晶体取向和高结晶质量，适用于深紫外光探测及高功率电子器件。研究为其在下一代光电子器件中的集成应用提供了可行路径。
English Abstract
Tao Zhang, Jiaying Shen, Dianmeng Dong, Qingyi Zhang, Tiejun Wang, Fan Zhang, Zhenping Wu; Realizing freestanding single-crystal oriented membranes of ultrawide-bandgap semiconductor ε-Ga2O3 and their prospects in optoelectronic device applications. _Appl. Phys. Lett._ 10 March 2025; 126 (10): 102102.
S
SunView 深度解读
该ε-Ga2O3超宽禁带半导体技术对阳光电源功率器件升级具有前瞻价值。相比现有SiC器件，ε-Ga2O3禁带宽度更大（>4.9eV），可实现更高耐压等级和更低导通损耗，适用于ST系列储能变流器和SG系列1500V光伏逆变器的功率模块优化。其优异热稳定性可降低散热需求，提升PowerTitan储能系统功率密度。柔性薄膜特性为三电平拓扑中的高频开关器件提供新型封装方案。深紫外光探测特性可应用于电弧检测等安全监测场景。建议跟踪该材料产业化进程，评估在下一代高压大功率产品中的应用可行性。