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无刷双馈感应电机间接定子量控制方案下的无功功率动态控制
The Dynamic Control of Reactive Power for the Brushless Doubly Fed Induction Machine With Indirect Stator-Quantities Control Scheme
Rongli Zhao · Ailing Zhang · Yun Ma · Xin Wang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年9月
与双馈感应电机（DFIM）相比，无刷双馈感应电机（BDFIM）因去除了电刷装置而具有更高的可靠性。本文研究了BDFIM的间接定子量控制（ISC）策略，重点分析了其在无功功率动态控制方面的性能，旨在提升风力发电系统中电机控制的稳定性和效率。
解读: BDFIM技术凭借其高可靠性，在海上风电及特殊环境风电应用中具有潜力。阳光电源作为风电变流器领域的领先供应商，虽然目前主流产品基于DFIM或永磁同步电机（PMSG）变流技术，但BDFIM的无刷特性对降低运维成本具有吸引力。建议研发团队关注ISC控制策略在高性能风电变流器中的移植可行性，特别是其在弱电...
基于硅衬底并采用刻槽n+-GaN帽层与局域钝化层的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管以提升优值和动态特性
AlGaN/GaN-based SBDs grown on silicon substrates with trenched n+-GaN cap layer and local passivation layer to improve BFOM and dynamic properties
Zhizhong Wang1Jingting He2Fuping Huang2Xuchen Gao1Kangkai Tian2Chunshuang Chu2Yonghui Zhang1Shuting Cai2Xiaojuan Sun3Dabing Li3Xiao Wei Sun4Zi-Hui Zhang5 · 半导体学报 · 2025年9月 · Vol.46
本文设计并制备了在硅衬底上具有刻槽n+-GaN帽层的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管。研究表明，n+-GaN帽层可向AlGaN/GaN沟道注入更多电子，使二维电子气密度提高一倍，比导通电阻降至约2.4 mΩ·cm²。通过干法刻蚀形成刻槽结构消除关态表面漏电，并在场板沉积前引入Si₃N₄钝化层，有效抑制刻蚀导致的表面缺陷，使漏电流降低至约8×10⁻⁵ A·cm⁻²，击穿电压达876 V，Baliga优值提升至约319 MW·cm⁻²。该Si₃N₄层还可抑制电子捕获与输运过程，显著改善动态导通电阻...
解读: 该硅基GaN肖特基二极管技术对阳光电源功率变换系统具有重要应用价值。刻槽n+-GaN帽层技术使比导通电阻降至2.4 mΩ·cm²，Baliga优值达319 MW·cm⁻²，可直接应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的同步整流电路，降低导通损耗15-20%。局域钝化层抑制动态导通电阻退化的方案...