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排序:
可靠性与测试 故障诊断 可靠性分析 有限元仿真 ★ 3.0

对称六相分数槽集中绕组永磁同步电机匝间短路故障动态建模

Dynamic Modeling for Interturn Short Circuit Faults in Symmetrical Six-Phase FSCW-PMSMs With Unaligned Fault Coil

Huidong Wang · Jianhui Hu · Yong Li · Zhibo Wang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年2月

本文针对对称六相分数槽集中绕组永磁同步电机(FSCW-PMSMs),提出了一种考虑非对齐故障线圈位置的匝间短路故障动态模型。该模型为实现高性能故障诊断与容错控制提供了理论基础,解决了FSCW-PMSM在复杂绕组结构下的故障特征提取难题。

解读: 该研究聚焦于多相电机故障建模与诊断,虽然阳光电源目前的核心业务集中在光伏逆变器、储能系统及风电变流器,但该技术对于风电变流器产品线具有潜在参考价值。随着风电向大功率、多相化方向发展,电机侧的故障诊断与容错控制技术是提升风电变流器系统可靠性的关键。建议研发团队关注该建模方法,将其应用于风电变流器的故障...

拓扑与电路 储能变流器PCS 双向DC-DC 功率模块 ★ 4.0

带继电器端口的模块化多有源桥变换器功率解耦与优化控制研究

Research on Power Decoupling and Optimal Control of Modular Multiactive Bridge Converter With Relay Port

Changyu Gao · Kai Li · Zhibo Zhang · Fan Yuan 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年4月

模块化多有源桥(MMAB)变换器是一种可扩展的多端口变换器,适用于多种能源与负载的灵活互联。传统MMAB通过高频变压器耦合至公共链路,存在端口间功率交叉耦合问题。本文针对带继电器端口的MMAB结构,研究了功率解耦控制策略,旨在提升多端口系统的功率分配灵活性与控制精度。

解读: 该研究涉及的多端口变换技术与阳光电源的储能系统(如PowerTitan、PowerStack)及光储一体化架构高度相关。随着储能系统向高压化、模块化发展,多端口变换器能有效实现光伏、电池与电网的高效耦合。该文章提出的功率解耦与优化控制策略,可优化PCS内部的功率流分配,减少多端口间的干扰,提升系统动...

拓扑与电路 DAB 双向DC-DC 三电平 ★ 5.0

基于谐波分解的三电平双有源桥变换器ZVS边界分析与移相值优化策略

ZVS Boundary Analysis and Optimization Strategy of Phase-Shift Values for Three-Level Dual-Active-Bridge Converters Using Harmonic Decomposition

Wei Shao · Chenchen Wang · Kai Li · Zhibo Zhang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年9月

本文研究了由三电平中点钳位桥和H桥组成的双有源桥(DAB)变换器。为实现中压直流与低压直流间的高效转换,文章通过谐波分解法分析了ZVS软开关边界,并提出了移相控制优化策略,旨在高频条件下拓宽ZVS工作范围,提升变换效率。

解读: 该技术对阳光电源的储能业务(如PowerTitan、PowerStack系列)具有极高的应用价值。三电平DAB拓扑是实现高压储能系统高效直流变换的核心技术,通过优化移相控制策略,可显著降低开关损耗,提升PCS在全功率范围内的转换效率。建议研发团队将该谐波分解分析法应用于大功率储能变流器的控制算法优化...

功率器件技术 GaN器件 ★ 5.0

基于3纳米绝缘层的高性能MIM/p-GaN栅极HEMT

High-Performance MIM/p-GaN Gate HEMTs With a 3-nm Insulator for Power Conversion

Zhibo Cheng · Xiangdong Li · Jian Ji · Lu Yu 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年3月

正向偏置栅极击穿电压 ${V}_{\text {G- {BD}}}$ 较低的肖特基型 p - GaN 栅极高电子迁移率晶体管(HEMT)在开关过程中容易发生故障。在这项工作中,提出了一种在 p - GaN 层顶部具有 TiN/Al₂O₃/TiN(30/3/40 纳米)金属 - 绝缘体 - 金属(MIM)结构的高性能 MIM/p - GaN 栅极 HEMT。与传统的肖特基型参考器件相比,MIM/p - GaN 栅极结构成功地将 ${V}_{\text {G- {BD}}}$ 从 11.4 V 提高...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项MIM/p-GaN栅极HEMT技术对我们的核心产品线具有重要战略价值。该技术通过在p-GaN层上集成超薄3nm Al2O3绝缘层的金属-绝缘体-金属结构,将栅极击穿电压从11.4V提升至14.1V,最大工作栅压从5.1V提升至7.0V,这直接解决了传统肖特基型p-GaN...