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多采样单相DC-AC变换器垂直交叉现象的精确建模与消除
Accurate Modeling and Elimination of Vertical Crossings for Multisampled Single-Phase DC–AC Converters
Zhengyuan Zhou · Zeng Liu · Xujie Wang · Jinjun Liu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年6月
多采样多更新（MSMU）方案是降低数字控制电力变换器延迟的有效方法。然而，基础MSMU会导致调制信号与载波信号发生垂直交叉（VC），引起电流畸变并导致闭环调节失效。本文提出了一种预测并消除VC现象的方法，以避免其对系统性能的负面影响。
解读: 该技术对阳光电源的户用光伏逆变器及小型储能PCS产品线具有重要价值。在追求高功率密度和高性能数字控制的趋势下，MSMU方案常被用于提升控制带宽，但VC现象带来的电流畸变会直接影响电能质量（THD）。通过引入该文提出的VC消除算法，可以显著优化单相逆变器在低开关频率下的动态响应，提升系统在弱电网环境下...
多采样数字控制Buck变换器中双垂直交叉现象的精确建模与消除
Accurate Modeling and Elimination of Double Vertical Crossing in Multi-Sampled Digital-Controlled Buck Converters
Zhengyuan Zhou · Zeng Liu · Lulu Guo · Jike Wang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年7月
多采样法是降低数字控制功率变换器延迟的有效手段，但会导致调制信号与载波信号发生双垂直交叉（DVC），进而引发闭环调节失效。本文针对该现象进行精确建模，分析了其受工作点、功率级参数及控制系统影响的机理，并提出了相应的消除策略以提升变换器动态性能。
解读: 该研究针对数字控制变换器中的多采样技术及其引发的DVC现象进行深入分析，对阳光电源的组串式逆变器及储能PCS产品具有重要参考价值。在追求高功率密度和快速动态响应的过程中，数字控制算法的稳定性至关重要。该论文提出的建模与消除方法，可直接应用于阳光电源PowerTitan等储能变流器及光伏逆变器的数字控...
总电离剂量辐射引起的p-GaN栅极HEMTs漏电流退化
Total-Ionizing-Dose Radiation-Induced Leakage Current Degradation in p-GaN Gate HEMTs
Zhao Wang · Xin Zhou · Qingchen Jiang · Zhengyuan Peng 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年1月
本研究对 p - GaN 栅高电子迁移率晶体管（HEMT）中总电离剂量（TID）辐射诱发的漏极泄漏电流（ ${I} _{\text {off}}$ ）退化现象进行了研究。辐射诱发的 ${I} _{\text {off}}$ 退化主要由源极电流和衬底电流决定，并揭示了辐射损伤机制。辐射产生的空穴被捕获在栅极下方的 GaN 沟道以及缓冲层/过渡层界面附近，这会降低电子注入的能垒并增大 ${I} _{\text {off}}$ 。在辐射和高电场的共同作用下，缓冲层中会产生电子陷阱，这会提高缓冲层中电子...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项关于p-GaN栅极HEMT器件抗总电离剂量辐射性能的研究具有重要的战略参考价值。GaN基HEMT器件因其高频、高效、耐高温特性，正逐步成为光伏逆变器和储能变流器中功率转换模块的核心器件，直接影响系统的转换效率和可靠性。 该研究揭示的辐射损伤机制对我司产品在特殊应用场景...