找到 9 条结果
并联逆变器的共模电压抑制
Common-Mode Voltage Reduction for Paralleled Inverters
Dong Jiang · Zewei Shen · Fei Wang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年5月
本文研究了并联逆变器的共模（CM）电压抑制技术。针对并联逆变器通过耦合电感连接且采用交错并联（Interleaving）仍无法完全消除共模电压的问题，提出了一种新型脉宽调制（PWM）策略，旨在有效降低系统共模电压，提升电磁兼容性。
解读: 该研究直接关联阳光电源的核心产品线——组串式逆变器及大型集中式逆变器。在光伏电站中，多机并联运行是提升系统功率密度的常见方案，但共模电压引起的漏电流问题是影响系统可靠性和电磁兼容性的关键。本文提出的PWM优化策略可直接应用于阳光电源的逆变器控制算法中，通过改进调制逻辑，在不增加额外硬件成本的前提下降...
一种用于并联逆变器的通用零共模PWM及差模环流优化方法
A General Zero Common-Mode PWM for Paralleled Inverters and Optimization of Differential-Mode Circulating Current
Zhenyu Wang · Dong Jiang · Zewei Shen · Wei Sun · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年6月
针对并联逆变器中零共模（ZCM）SVPWM方案导致的调制比降低及差模环流（DMCC）恶化问题，本文提出了一种通用ZCM方案。该方法通过优化脉冲分配，在消除共模电压的同时，有效抑制了差模环流，从而减小了耦合电感的体积需求。
解读: 该研究直接针对阳光电源组串式及集中式逆变器在多机并联运行场景下的核心痛点。通过优化PWM策略抑制差模环流，不仅能显著降低对耦合电感体积和成本的要求，提升功率密度，还能减少环流损耗，提高整机效率。建议研发团队在大型地面电站集中式逆变器及工商业组串式逆变器并联方案中引入该控制算法，以优化系统体积，降低磁...
基于电流纹波预测的电压源逆变器死区效应补偿方法
Dead-Time Effect Compensation Method Based on Current Ripple Prediction for Voltage-Source Inverters
Zewei Shen · Dong Jiang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年1月
电压源逆变器（VSI）中，死区时间虽能防止桥臂直通，但会引起输出电流畸变，降低逆变器性能并影响共模电压（CMV）。本文提出一种基于电流纹波预测的死区补偿策略，旨在消除死区效应带来的非线性影响，提升逆变器输出电流质量，特别是在零共模电压PWM调制方案中具有重要应用价值。
解读: 该研究直接针对阳光电源核心产品——组串式及集中式光伏逆变器、储能变流器（PCS）的控制算法优化。死区效应是影响逆变器输出电流谐波（THD）和电网适应性的关键因素。通过引入电流纹波预测补偿，可显著提升逆变器在低电流区间的线性度，改善电能质量，并有助于降低共模电流，提升系统电磁兼容性（EMC）。建议在下...
双双两电平逆变器驱动非对称六相永磁同步电机的共模电压消除
Common-Mode Voltage Elimination for Dual Two-Level Inverter-Fed Asymmetrical Six-Phase PMSM
Zewei Shen · Dong Jiang · Zicheng Liu · Donglin Ye 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年4月
脉宽调制（PWM）电压源逆变器在电机驱动中应用广泛，但其离散开关状态会在定子绕组中性点产生高频共模电压（CMV），带来负面影响。本文提出了一种针对双两电平逆变器驱动非对称六相永磁同步电机的CMV消除方法。
解读: 该文献聚焦于多相电机驱动系统的共模电压抑制技术，属于电机控制与电力电子拓扑的前沿研究。虽然阳光电源目前的核心业务集中在光伏逆变器、储能PCS及风电变流器，与六相电机驱动存在差异，但其共模电压抑制的调制策略（如SVPWM优化）在高性能风电变流器及大功率工业驱动领域具有参考价值。建议研发团队关注该类调制...
用于并联逆变器耦合电感高频环流控制的变开关频率PWM策略
Variable Switching Frequency PWM Strategy for High-Frequency Circulating Current Control in Paralleled Inverters With Coupled Inductors
Qiao Li · Dong Jiang · Zewei Shen · Yechi Zhang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年5月
本文针对并联电压源逆变器（VSI），提出了一种描述耦合电感内环流的时域模型。基于该模型，可计算不同脉宽调制（PWM）方法下的环流峰值或有效值，为耦合电感的设计与优化提供了理论依据，有助于抑制并联系统中的高频环流。
解读: 该研究直接服务于阳光电源组串式逆变器及大功率集中式逆变器的并联技术。在多机并联应用中，耦合电感设计与环流抑制是提升系统效率与可靠性的关键。通过采用变开关频率PWM策略，可有效降低并联支路间的环流损耗，减小电感体积，从而优化逆变器功率密度。建议研发团队将该时域模型集成至iSolarCloud智能运维平...
用于抑制漏电流和共模EMI的双逆变器双段式永磁同步电机
Dual-Segment Three-Phase PMSM With Dual Inverters for Leakage Current and Common-Mode EMI Reduction
Zewei Shen · Dong Jiang · Tianjie Zou · Ronghai Qu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年6月
在电机驱动系统中，逆变器产生的共模电压（CMV）会在定子绕组中性点引发高频漏电流和共模电磁干扰（EMI），威胁系统稳定性。本文提出一种双逆变器驱动双段式永磁同步电机的方案，通过拓扑优化有效降低了CMV，从而抑制了漏电流与EMI。
解读: 该研究关注电力电子系统中的共模电压抑制与电磁兼容（EMC）设计，这对阳光电源的逆变器及电机驱动类产品具有参考价值。虽然阳光电源主营光伏与储能，但在风电变流器及电动汽车充电桩等涉及电机驱动或高频功率变换的领域，共模干扰一直是提升功率密度和可靠性的核心挑战。该双逆变器拓扑思路可为公司在处理高功率密度变流...
一种用于共直流母线开绕组永磁同步电机的零序电流消除PWM方案
A Novel Zero-Sequence Current Elimination PWM Scheme for an Open-Winding PMSM With Common DC Bus
Zewei Shen · Dong Jiang · Lei Zhu · Yunsong Xu 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年12月
本文提出了一种针对共直流母线双两电平三相逆变器驱动的开绕组永磁同步电机（OW-PMSM）的新型脉宽调制（PWM）方案。该方案通过对称单极性倍频正弦PWM并配合适当的相移，有效解决了开绕组结构中固有的零序电流（ZSC）问题，提升了电机驱动系统的运行性能。
解读: 该研究聚焦于多逆变器并联驱动下的零序电流抑制，虽然主要针对电机驱动领域，但其核心控制逻辑与阳光电源在光伏逆变器及储能变流器（PCS）中处理多机并联、环流抑制及高频调制的技术路径具有高度互通性。特别是对于阳光电源的组串式逆变器及大功率储能变流器，在面对多模块并联架构时，该PWM优化策略可作为降低系统损...
针对奇数相对称多相两电平逆变器的共模电压抑制锯齿波载波PWM方法
Sawtooth Carrier-Based PWM Methods With Common-Mode Voltage Reduction for Symmetrical Multiphase Two-Level Inverters With Odd Phase Number
Zicheng Liu · Pengye Wang · Wei Sun · Zewei Shen 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年1月
本文提出了一种基于锯齿波载波的PWM（SCPWM）技术，旨在降低多相系统中共模电压（CMV）的峰峰值及其变化频率。该方法利用多相系统增加的自由度，通过优化相载波形状，可轻松扩展至对称多相两电平逆变器，有效改善电磁兼容性（EMC）表现。
解读: 该技术主要针对多相逆变拓扑，虽然阳光电源目前主流产品（如组串式和集中式逆变器）多为三相拓扑，但随着大功率电力电子设备对电磁干扰（EMI）控制要求的日益严苛，该研究提出的共模电压抑制策略对提升逆变器电磁兼容性具有参考价值。对于阳光电源的研发团队，该方法可作为未来超大功率多相并网系统或特殊工业驱动应用中...
重离子辐照下SiC MOSFET中单粒子泄漏电流II的微观结构损伤
Microstructure Damage for Single-Event Leakage Current II in SiC MOSFETs Induced by Heavy Ion
Leshan Qiu · Yun Bai · Jieqin Ding · Zewei Dong 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年4月
本文研究了181Ta重离子辐照下硅碳化物（SiC）MOSFET中单粒子泄漏电流II（SELC II）退化相关的电学特性及微观结构损伤。在1200 V器件中，当漏极偏压介于450至600 V时观察到SELC II退化现象。辐照后施加漏极偏压，发现两条独立的漏电流路径，其中漏源漏电路径在超过特定电压阈值后出现，且与栅氧损伤无关。辐照前后SiC MOSFET与p-i-n二极管表现出相似电学行为，表明p-n结在SELC II退化中起关键作用。高分辨率透射电镜首次揭示SELC II引起的微结构损伤（包括空...
解读: 该研究揭示SiC MOSFET单粒子泄漏电流的微观损伤机理，对阳光电源功率器件可靠性设计具有重要价值。在ST储能变流器和SG光伏逆变器中，SiC MOSFET工作于高压大功率场景，研究发现的450-600V电压窗口SELC II退化现象及P阱/N外延层界面损伤机制，可指导器件选型时的耐压裕量设计和失...