用于光伏应用的Cu(In1-xGax)Se2薄膜的温度依赖性生长与表征

Temperature-dependent growth and characterizations of Cu(In1-xGax)Se2 thin films for photovoltaic applications

Shafiq Ahmed · Naresh Padha · Zakir Hussain · Shammi Kumar 等5人 · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年1月 · Vol.36.0

采用多源顺序蒸发层沉积技术制备Cu/In/Ga/Se叠层前驱体，并通过热退火工艺合成了Cu(In1-xGax)Se2（CIGS）薄膜。前驱体层在约1×10–4 Pa的真空条件下利用热蒸发方法沉积而成。将沉积后的叠层在10–1 Pa的真空环境中于473 K至623 K温度范围内以50 K为间隔进行退火处理。利用X射线衍射法对所生成薄膜中的纳米晶粒结构进行了分析。在473 K和523 K退火时观察到CuSe、CIGS和单质Se的混合相，而在573 K和623 K退火时则形成了单相CIGS薄膜。CIG...

解读: 该CIGS薄膜温度依赖性生长研究对阳光电源SG系列光伏逆变器的组件适配具有参考价值。研究表明573K退火温度下CIGS薄膜呈现1.10-1.53eV带隙和高吸收系数(2-6×10⁴cm⁻¹),其p型半导体特性(载流子浓度4.86×10¹⁴cm⁻³)适合作为吸收层。这为阳光电源优化MPPT算法、提升1...