Lijuan Cao · Yunhao Luo · Xiaomin Cheng · Xiangshui Miao · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

随着人工智能的快速发展，人工神经元作为关键组件受到广泛关注。然而，现有电路结构复杂，不利于高密度集成。本文提出一种Ag/Ti/TaOx/Pt双功能忆阻器，在不同电压偏置下表现出动态与阈值开关特性。利用该特性，将两个器件背对背连接，构建了漏泄积分-放电（LIF）神经元，仅需一步光刻即可实现高度紧凑的神经元结构。电学测试验证了其LIF功能及对输入信号的适应性，为神经形态计算提供了新型双功能器件与紧凑型人工神经元方案。

解读: 该TaOx双功能忆阻器的紧凑型神经元技术对阳光电源智能控制系统具有前瞻性价值。其漏泄积分-放电特性可应用于：1）PowerTitan储能系统的电池管理，通过神经形态计算实现高密度集成的SOC/SOH预测算法，提升BMS智能化水平；2）iSolarCloud平台的边缘计算节点，利用忆阻器低功耗特性实现...