Ashraf Ali Khan · Yun Wi Lu · Wilson Eberle · Liwei Wang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年1月

本文提出了两种单相单级分体电感升降压逆变器（Type-I和Type-II）。Type-I适用于单位功率因数，Type-II适用于任意功率因数。两种拓扑均消除了直通问题，并消除了所有开关管的反向恢复损耗，从而使MOSFET能够实现更高的效率。

解读: 该研究提出的单级升降压拓扑在消除直通风险和反向恢复损耗方面具有显著优势，非常契合阳光电源户用光伏逆变器及微型逆变器产品线对高效率、高功率密度的追求。通过采用该拓扑，可进一步优化MOSFET的开关性能，提升整机转换效率。建议研发团队评估其在小功率单相逆变器中的应用潜力，特别是在追求紧凑型设计和高可靠性...