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异构逆变器并联系统的谐振特性分析与分频补偿策略
Resonance Characterization and Frequency-divided Compensation Strategy for Heterogeneous Inverters-paralleled System
Hongbin Lin1Pingjuan Ge2Hailiang Xu2Yuhan Duan2 · 现代电力系统通用与清洁能源学报 · 2025年1月 · Vol.1
当前新能源供电系统普遍采用跟网型（GFL）与构网型（GFM）逆变器并联的异构系统（HIPS），其动态特性差异增加了稳定性分析与协调控制的难度。本文建立了HIPS的交互导纳矩阵模型，结合模态分析法，全面考虑逆变器间的交互影响，揭示了系统的多维谐振特性。为实现协同控制与振荡抑制，提出一种分频补偿策略，依据GFL与GFM逆变器的谐振特性划分频率边界，并根据谐波功率比动态调整系统运行模式，分为GFM、GFL及混合模式三类。仿真与实验结果表明，该策略可使HIPS灵活切换运行模式以适应复杂工况，将振荡频率占...
解读: 该异构逆变器并联系统谐振分析技术对阳光电源ST系列储能变流器与SG系列光伏逆变器混合并网场景具有重要应用价值。当前PowerTitan大型储能系统中，构网型GFM储能变流器与跟网型GFL光伏逆变器并联运行时，动态特性差异易引发系统振荡。文章提出的交互导纳矩阵建模方法可精准刻画阳光ST储能与SG逆变器...
60Co伽马射线总电离剂量辐照下SiC MOSFET的退化机理分析与建模
Degradation Mechanism Analysis and Modeling of SiC MOSFETs Under 60Co Gamma Ray Total Ionizing Dose Irradiation
Runding Luo · Yuhan Duan · Tao Luo · Yifei Chang 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年5月
研究了碳化硅（SiC）垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET）和沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在 $^{60}$Co $\gamma$ 射线辐照环境下的退化机制。探究了不同总电离剂量（TID）辐照后，处于不同工作状态的 SiC MOSFET 电学特性的退化情况。通过辐照后的退火实验研究了辐照过程中产生的缺陷。揭示了 TID 导致 SiC MOSFET 退化的原因，并提出了阈值电压（$V_{\text {th}}$）漂移的预测模型，且通过 TCAD 仿真进行了验...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项关于SiC MOSFET在总电离剂量辐射环境下的退化机理研究具有重要的战略参考价值。SiC功率器件已成为我司光伏逆变器、储能变流器等核心产品的关键元件，其可靠性直接影响系统的长期性能表现。 该研究揭示了γ射线辐射导致SiC MOSFET阈值电压漂移、导通电阻增大等退化...