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功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 4.0

氮化镓功率器件芯片内并发老化预测与介质失效检测

On-Chip Concurrent Device Aging Prognosis and Dielectric Failure Detection for GaN Power Devices

Lixiong Du · Yuanqing Huang · D. Brian Ma · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年9月

尽管氮化镓(GaN)功率器件具有优异的性能,但其可靠性仍面临挑战。本文提出了一种片上状态监测(CM)方法,将器件老化预测与介质失效检测集成于统一电路平台。该方法利用器件关断特性,实现了对GaN器件健康状态的实时评估,为提升宽禁带器件在电力电子系统中的可靠性提供了有效手段。

解读: GaN器件作为宽禁带半导体的代表,在阳光电源的高功率密度户用逆变器及小型化充电桩产品中具有广阔应用前景。该研究提出的片上监测技术,能够有效解决GaN器件在长期运行中的可靠性痛点,通过实时老化预测与故障预警,可显著提升iSolarCloud平台的运维智能化水平。建议研发团队关注该片上集成电路设计,将其...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 5.0

一种具有集成双级状态监测机制的智能碳化硅LED驱动IC

A Smart Silicon Carbide LED Driver IC With Integrated Dual-Level Condition-Monitoring Mechanism

Yuanqing Huang · D. Brian Ma · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年5月

针对碳化硅(SiC)功率器件日益严峻的可靠性挑战,本文提出了一种创新的双级状态监测机制,旨在增强功率电路的鲁棒性。该机制通过芯片级和封装级双重监测,并引入原位可靠性感知调制器,实现了对芯片级退化过程的实时评估与监控。

解读: 该技术对阳光电源的核心业务具有极高的战略价值。随着公司在光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模应用SiC功率模块,器件的长期可靠性成为提升产品竞争力的关键。该双级监测机制(芯片级+封装级)可直接集成至iSolarCloud智能运维平台,实现对逆变器及储能PCS内部核心...