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金属有机化学气相沉积反应器内的后退火：一种可扩展的提高InGaAsP太阳能电池效率的方法
Postannealing in Metal–Organic Chemical Vapor Deposition Reactor: A Scalable Method for Improving InGaAsP Solar-Cell Efficiency
Depu Ma · Hassanet Sodabanlu · Meita Asami · Kentaroh Watanabe 等6人 · IEEE Journal of Photovoltaics · 2025年9月
带隙约为1.05 eV且与InP衬底晶格匹配的InGaAsP太阳能电池，其晶体质量与能量转换效率通常低于其他III-V族化合物半导体太阳能电池。本研究在金属有机化学气相沉积系统内直接实施后续退火处理，显著提升了器件性能。退火后，开路电压和短路电流密度分别提高了38 mV和3.84 mA/cm²。电压损耗分析与时间分辨光致发光结果表明，非辐射复合缺陷减少和载流子寿命延长是性能提升的主因。X射线衍射显示退火样品峰半高宽减小，表明材料组分均匀性改善，归因于退火过程中III族原子的重新分布。低温光致发光...
解读: 该InGaAsP太阳能电池MOCVD后退火技术对阳光电源光伏逆变器产品线具有重要参考价值。研究中通过退火工艺优化III-V族化合物半导体材料质量、降低非辐射复合损耗的思路，可借鉴至SG系列逆变器中SiC/GaN功率器件的制造工艺优化。特别是退火改善材料组分均匀性、延长载流子寿命的机制，对提升GaN器...