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储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 5.0

基于电聚合多巴胺的忆阻器利用阈值开关行为实现人工电流激活型脉冲神经元

Electropolymerized dopamine-based memristors using threshold switching behaviors for artificial current-activated spiking neurons

Bowen ZhongXiaokun QinZhexin LiYiqiang ZhengLingchen LiuZheng LouLili Wang · 半导体学报 · 2025年1月 · Vol.46

忆阻器具有类似突触的两端结构和电学特性,广泛用于人工突触的构建。然而,与无机材料相比,有机材料因忆阻性能较差而较少用于人工脉冲突触。本文首次报道了一种基于电聚合多巴胺忆阻层的有机忆阻器。该聚多巴胺忆阻器表现出优异的关键性能,包括0.3 V的低阈值电压、16 nm的薄层厚度以及约1 μF∙mm⁻²的高寄生电容。利用这些特性及其稳定的阈值开关行为,构建了一种无需电容元件且功耗低的人工脉冲神经元,可输出振荡电压,其脉冲频率随输入电流增加而升高,类似于生物神经元。实验结果表明,该器件在神经形态计算与系统...

解读: 该有机忆阻器的阈值开关特性与低功耗脉冲神经元技术,对阳光电源智能控制系统具有前瞻性启发价值。其0.3V低阈值电压和高寄生电容特性可借鉴应用于ST系列储能变流器的快速响应控制单元,实现更低功耗的状态检测与决策。神经形态计算的电流激活脉冲机制可启发iSolarCloud平台的边缘智能诊断算法优化,通过类...