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并网逆变器的对称锁相环与功率控制环
Symmetrical Phase-Locked Loop and Power Control Loop for Grid-Connected Inverters
Yichen Sun · Xinbo Ruan · Yuying He · Zhiheng Lin 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年6月
本文探讨了弱电网下并网逆变器（GCI）的稳定性评估问题。针对锁相环（PLL）和功率控制环（PCL）固有的不对称性导致的返回比矩阵特征值复数化问题，提出了对称化设计方法，旨在简化稳定性分析并优化PLL与PCL的参数设计，提升系统在弱电网环境下的运行稳定性。
解读: 该研究直接针对弱电网环境下逆变器并网的稳定性痛点，对阳光电源的组串式光伏逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）具有极高的应用价值。随着全球光伏与储能渗透率提升，电网强度普遍下降，该对称化控制策略能有效提升产品在弱电网下的鲁棒性，减少谐振风险。建议研发团队将其集成至iS...
高性能二维AsS空穴型晶体管中亚热载流子输运的理论研究
Theoretical Study of High-Performance Two-Dimensional AsS P-Type Transistors Featuring Subthermionic Transport
Weicong Sun · Hengze Qu · Chuyao Chen · Xi Yu 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年7月
二维材料晶体管在下一代高速、低功耗互补金属氧化物半导体（CMOS）集成方面展现出巨大潜力。然而，与n型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）相比，p型MOSFET的导通态电流较小，功耗较高。在这项工作中，我们结合第一性原理计算和非平衡格林函数（NEGF）方法，研究了二维硫化砷（2 - D AsS）的电子性质和量子输运特性。二维AsS具有1.27 eV的直接带隙，空穴有效质量较小（x方向为$0.46m_0$，y方向为$0.15m_0$）。对于沟道长度在8至10 nm范围内的二维AsS p -...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项关于二维AsS材料p型晶体管的研究虽属基础半导体领域，但其突破性进展对我们的核心产品具有长远战略意义。 在光伏逆变器和储能系统领域，功率转换效率与功耗控制是核心竞争力所在。该研究展示的p型MOSFET实现了30-50 mV/dec的亚阈值摆幅，突破了传统玻尔兹曼极限（...