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拓扑与电路 LLC谐振 双向DC-DC 充电桩 ★ 5.0

一种考虑寄生电容和死区时间的各类谐振变换器精确、通用且快速的时域模型

An Accurate, Universal, and Fast Time Domain Model for Different Types of Resonant Converters by Considering Parasitic Capacitors and Deadtime

Ziang Li · Shuo Zhang · Dachuan Chen · Peng Sun 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月

针对现有CLLLC类谐振变换器时域模型在拓扑通用性、寄生参数/死区效应考虑及计算效率方面的不足,本文提出了一种基于先进状态空间分析的方法。该模型能够精确描述不同谐振网络下的稳态波形,同时显著降低计算开销,为谐振变换器的设计与优化提供了高效的理论工具。

解读: 该研究对阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。首先,CLLLC谐振变换器是公司储能系统(如PowerTitan、PowerStack)中双向DC-DC模块的核心拓扑,该模型能显著提升变换器效率优化与死区时间设计的精确度。其次,在电动汽车充电桩业务中,该通用模型可加速高频化设计进程,助力提升功率密度...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

适用于低温环境的氮化镓高电子迁移率晶体管精确开关瞬态解析模型

An Accurate Analytical Switching Transient Model for GaN HEMT Operating at Cryogenic Temperature

Yanjie He · Zilong Chen · Yukun Zhang · Yudong Wang 等7人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年10月 · Vol.14

本文建立了适用于低温(143K/203K)环境的GaN HEMT开关瞬态解析模型,综合考虑温度依赖的I-V特性、电压相关寄生电容及反向有源区串扰效应。实验验证显示,开通/关断损耗误差分别低于6%/9%,时间误差低于7%/10%,证实其在低温下开关速度提升、损耗降低的机理。

解读: 该模型对阳光电源面向极端环境(如高海拔、极地光伏电站或太空能源系统)的下一代高效功率模块研发具有重要参考价值。尤其可支撑ST系列PCS及PowerTitan储能系统中GaN基双向变换器的低温损耗精准预测与热管理优化;建议在组串式逆变器高频化升级路径中开展GaN HEMT低温工况实测对标,并纳入iSo...