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功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

利用自组装芯片级倾斜侧壁提升高功率AlGaN基深紫外发光二极管性能

Enhancing the Performance for High-Power AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes Using Self-Assembled Chip-Scale Inclined Sidewall

Linbo Hao · Liu Wang · Yanan Guo · Xue-Jiao Sun 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年1月

众所周知,倾斜侧壁散射结构可以提高微型深紫外(DUV)发光二极管(LED)的光提取效率(LEE)。然而,针对芯片级高功率DUV LED的有效倾斜侧壁设计鲜有报道。在本研究中,我们使用一种氟基油状液体形成自组装液杯。该液杯在DUV LED芯片周围形成了芯片级倾斜侧壁。实验和模拟结果表明,带有液杯的DUV LED的光提取效率显著提高。这可归因于光出射锥角的增大、额外的出光面积以及倾斜侧壁的散射效应。因此,所提出的DUV LED在350 mA电流下的壁式发光效率(WPE)达到了10.7%。与传统DUV...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项深紫外LED技术虽然并非公司当前核心产品领域,但在新能源生态系统构建中具有潜在的战略协同价值。 **技术关联性分析:** 该论文提出的自组装芯片级倾斜侧壁技术,通过含氟油性液体形成液杯结构,将深紫外LED的光提取效率和壁塞效率分别提升64.9%。这种光学优化思路与阳光...