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基于占空比调节的永磁同步电机直接转矩控制转矩性能提升策略
Torque-Performance Improvement for Direct Torque-Controlled PMSM Drives Based on Duty-Ratio Regulation
Ahmed Nasr · Chunyang Gu · Xuchen Wang · Giampaolo Buticchi 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年1月
本文提出了一种基于占空比调节的新型策略，旨在改善三相永磁同步电机（PMSM）直接转矩控制（DTC）的转矩性能。传统DTC方案依赖两个迟滞调节器，在宽调速范围内难以兼顾转矩性能。该策略通过占空比调节优化，有效提升了电机在不同转速下的转矩控制精度和动态响应。
解读: 该技术主要针对永磁同步电机（PMSM）的控制优化，与阳光电源的风电变流器及电动汽车驱动业务具有技术同源性。在风电变流器领域，优化转矩控制策略有助于提升发电机侧的动态响应与效率；在充电桩及电机驱动相关应用中，该算法可提升电机运行的平稳性。建议研发团队关注该占空比调节策略在提升变流器低速运行效率及降低转...
基于PWM载波移相的双三相永磁同步电机选择性转矩谐波消除
Selective Torque Harmonic Elimination for Dual Three-Phase PMSMs Based on PWM Carrier Phase Shift
Xuchen Wang · Hao Yan · Giacomo Sala · Giampaolo Buticchi 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年12月
双三相驱动系统因高转矩密度和容错性备受关注。本文提出一种基于载波的PWM控制算法，旨在消除双三相驱动系统中的高频转矩谐波，优化功率变换器的PWM控制性能。
解读: 该技术主要针对多相电机驱动控制，虽然阳光电源目前核心业务聚焦于光伏、储能及风电变流器，但其核心的PWM载波移相技术与阳光电源风电变流器及大功率储能变流器（PCS）中的多电平/多模块并联控制逻辑具有技术同源性。在风电变流器领域，该算法有助于优化发电机侧的转矩脉动，提升系统运行平稳性。建议研发团队关注该...
基于硅衬底并采用刻槽n+-GaN帽层与局域钝化层的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管以提升优值和动态特性
AlGaN/GaN-based SBDs grown on silicon substrates with trenched n+-GaN cap layer and local passivation layer to improve BFOM and dynamic properties
Zhizhong Wang1Jingting He2Fuping Huang2Xuchen Gao1Kangkai Tian2Chunshuang Chu2Yonghui Zhang1Shuting Cai2Xiaojuan Sun3Dabing Li3Xiao Wei Sun4Zi-Hui Zhang5 · 半导体学报 · 2025年9月 · Vol.46
本文设计并制备了在硅衬底上具有刻槽n+-GaN帽层的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管。研究表明，n+-GaN帽层可向AlGaN/GaN沟道注入更多电子，使二维电子气密度提高一倍，比导通电阻降至约2.4 mΩ·cm²。通过干法刻蚀形成刻槽结构消除关态表面漏电，并在场板沉积前引入Si₃N₄钝化层，有效抑制刻蚀导致的表面缺陷，使漏电流降低至约8×10⁻⁵ A·cm⁻²，击穿电压达876 V，Baliga优值提升至约319 MW·cm⁻²。该Si₃N₄层还可抑制电子捕获与输运过程，显著改善动态导通电阻...
解读: 该硅基GaN肖特基二极管技术对阳光电源功率变换系统具有重要应用价值。刻槽n+-GaN帽层技术使比导通电阻降至2.4 mΩ·cm²，Baliga优值达319 MW·cm⁻²，可直接应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的同步整流电路，降低导通损耗15-20%。局域钝化层抑制动态导通电阻退化的方案...