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考虑漏感的双三相永磁同步电机容错策略
Postfault Strategy for Dual Three-Phase PMSM With Reduced Current Loops Considering Leakage Inductance
Boyuan Zheng · Xinyuan Wang · Yongxiang Xu · Jibin Zou 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月
双三相永磁同步电机（DTP-PMSM）具备显著的容错能力，但其复杂的控制器结构、高铜耗及故障后的转矩脉动限制了应用。本文针对开相故障（OPF）下控制信号传输不准确的问题，提出了一种考虑漏感的简化电流环容错控制策略，旨在优化故障后的运行性能。
解读: 该研究聚焦于多相电机驱动系统的容错控制，虽然阳光电源目前的核心业务集中在光伏逆变器、储能PCS及风电变流器领域，尚未直接涉及多相电机驱动，但其提出的“考虑漏感的简化电流环控制”及“故障诊断与容错策略”在电力电子控制算法层面具有通用性。对于阳光电源的风电变流器产品线，若未来涉及多相发电机组的变流技术，...
高温反向偏压应力下p-GaN栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的退化机理
Degradation Mechanisms of p-GaN Gate AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors Under High-Temperature Reverse Bias Stress
Chengbing Pan · Wenbo Wang · Ruomeng Zhang · Xinyuan Zheng 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年7月
p型氮化镓（p - GaN）栅极氮化铝镓/氮化镓（AlGaN/GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在包括电动汽车、雷达等在内的许多应用领域具有广阔前景。然而，p - GaN栅极AlGaN/GaN HEMTs的阈值电压（ ${V}_{\text {TH}}$ ）不稳定性和动态导通电阻（ ${R}_{\text {DSON}}$ ）退化问题仍然令人担忧。在此，对p - GaN栅极AlGaN/GaN HEMTs的阈值电压和动态 ${R}_{\text {DSON}}$ 的退化行为进行了系统研究。在高...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，该论文揭示的p-GaN栅极AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）退化机制研究具有重要的战略价值。作为新一代宽禁带半导体器件，GaN功率器件凭借其高开关频率、低导通损耗和高温工作能力，正成为光伏逆变器和储能变流器实现高功率密度、高效率的关键技术路径。 该研究系统阐...