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功率器件技术 功率模块 宽禁带半导体 ★ 3.0

一种用于消除亚微秒脉冲范围内残余电压的反向开关晶闸管(RSD)新型触发方法

A Novel Trigger Method for Reversely Switched Dynistor to Eliminate Residual Voltage in Submicrosecond Pulse Range

Zhengheng Qing · Lin Liang · Xiaoxue Yan · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年4月

本文提出了一种反向开关晶闸管(RSD)的新型触发方法,旨在消除其在亚微秒级电流上升时间切换时的残余电压。通过仿真对比了传统反向电流脉冲与所提dv/dt电压脉冲触发下的RSD瞬态特性。结果表明,传统方法在触发过程中存在数十纳秒的延迟,而新方法能显著优化开关性能。

解读: RSD作为一种高功率脉冲开关器件,虽然目前阳光电源的主流光伏逆变器和储能变流器(PCS)主要采用IGBT或SiC MOSFET,但该研究提出的亚微秒级快速开关控制技术对于电力电子器件的极限性能挖掘具有参考价值。在阳光电源的未来前瞻性研究中,若涉及超高速脉冲功率应用或特种电源开发,该触发方法可优化开关...

拓扑与电路 功率模块 宽禁带半导体 ★ 2.0

基于雪崩晶体管及触发加速电路的高功率高重复频率纳秒Marx发生器

High Power and High Repetition Frequency Nanosecond Marx Generator Based on Avalanche Transistor With Triggering Acceleration Circuit

Kaijun Wen · Lin Liang · Ziyang Zhang · Xiaoxue Yan · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年6月

本文提出了一种基于雪崩双极结型晶体管(ABJT)的M×N级Marx发生器电路。通过引入触发加速电路,该设计实现了高电压、纳秒级脉冲宽度及高重复频率(PRF)的输出,解决了传统Marx电路在高速脉冲应用中的性能瓶颈,适用于高功率脉冲电源领域。

解读: 该文献研究的纳秒级高压脉冲发生技术主要应用于高功率脉冲电源领域,与阳光电源现有的光伏逆变器、储能PCS及充电桩等主流产品线在拓扑结构和应用场景上存在较大差异。然而,文中涉及的雪崩晶体管驱动技术及触发加速电路设计,对于提升功率器件的开关速度和驱动可靠性具有一定的参考价值。建议研发团队关注其在极端工况下...

功率器件技术 可靠性分析 功率模块 ★ 2.0

基于电压斜坡触发的马克思发生器电路中雪崩晶体管单脉冲失效研究

Investigation on Single Pulse Failure of Avalanche Transistors Triggered by Voltage Ramps in Marx Bank Circuits

Kaijun Wen · Lin Liang · Haoyang Fei · Ziyang Zhang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年9月

本文研究了基于雪崩双极结型晶体管(ABJT)的马克思发生器电路(MBC)中,由不同电压上升率(dV/dt)触发导致的器件失效问题。通过分析ABJT在单脉冲下的退化与失效特征,揭示了电压斜坡触发对器件可靠性的影响机理,为高压脉冲电源系统的设计与可靠性评估提供了理论依据。

解读: 该研究聚焦于雪崩晶体管在极端脉冲条件下的失效机理,属于功率电子器件的底层物理特性研究。虽然阳光电源的核心产品(如组串式逆变器、PowerTitan储能系统)主要采用IGBT、SiC等主流功率模块,而非雪崩晶体管,但该研究中关于dV/dt引起的器件应力分析和可靠性评估方法,对于提升阳光电源在复杂工况下...