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电动汽车驱动 GaN器件 ★ 4.0

缺陷演化对14 MeV中子辐照后AlGaN/GaN HEMT电学性能的影响

The impact of defect evolution on the electrical performance of AlGaN/GaN HEMT after 14-MeV neutron irradiation

Von Bardeleben · Van De Walle · China Machine Press · Applied Physics Letters · 2025年6月 · Vol.126

研究了14 MeV中子辐照及退火处理对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)电学性能与缺陷演化关系的影响。随着辐照注量增加,器件的漏极电流、跨导及载流子浓度显著下降,而反向栅泄漏电流上升。通过深能级瞬态谱技术分析发现,中子辐照引入了多个深能级缺陷,其浓度随注量增加而升高,且在退火过程中部分缺陷发生转化或湮灭。研究表明,位移损伤导致的点缺陷及其演化进程是电学性能退化的主要机制,为HEMT在辐射环境中的可靠性评估提供了重要依据。

解读: 该GaN HEMT中子辐照损伤机理研究对阳光电源功率器件应用具有重要参考价值。研究揭示的深能级缺陷演化规律可指导SG系列光伏逆变器、ST储能变流器及电动汽车驱动系统中GaN器件的可靠性设计。针对辐照引起的载流子浓度下降、栅泄漏增加等退化机制,可优化器件筛选标准和老化测试方案。退火处理对缺陷的修复效应...

控制与算法 模型预测控制MPC PWM控制 ★ 2.0

基于自适应控制集的五相永磁同步电机高精度三次谐波容错控制

High-Precision Third Harmonic Fault-Tolerant Control for F-PMSM Based on Adaptive Control Set

Xinling Chen · Zhenfei Ling · Tong Li · Hao Liu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年9月

本文提出了一种针对五相永磁同步电机(F-PMSM)的自适应控制集模型预测电流控制(ACS-MPCC)方法,实现了基波和三次谐波电流的高精度容错控制。通过注入三次谐波电压建立虚拟电压矢量,优化了控制性能。

解读: 该技术主要针对多相电机驱动,与阳光电源核心的光伏及储能业务(逆变器、PCS)关联度较低。但其核心算法——模型预测控制(MPC)及虚拟电压矢量技术,在阳光电源的组串式逆变器和PowerTitan储能变流器中具有潜在的借鉴意义。特别是在提升逆变器在电网故障下的电流控制精度、谐波抑制能力以及复杂工况下的鲁...