找到 1 条结果
排序:
拓扑与电路
GaN器件
功率模块
宽禁带半导体
★ 4.0
一种基于新型自激振荡器的甚高频自激逆变器
A Very High Frequency Self-Oscillating Inverter Based on a Novel Free-Running Oscillator
Rawad Makhoul · Jia Zhuang · Xavier Maynard · Pierre Perichon 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年9月
本文介绍了一种基于自激振荡器的甚高频(VHF)Φ2类逆变器。Φ2类拓扑具有低电压应力、快速瞬态响应和单开关管的特点,非常适合VHF应用。随着GaN技术的进步,功率变换器向更高开关频率发展已成为趋势,该研究为实现高效高频功率转换提供了新路径。
解读: 该研究聚焦于甚高频(VHF)功率变换技术,对阳光电源的户用光伏逆变器及微型逆变器产品线具有重要参考价值。通过引入GaN器件与Φ2类拓扑,可显著提升功率密度并减小磁性元件体积,助力产品小型化与轻量化。建议研发团队关注该自激振荡控制策略在小功率高频变换场景下的应用,以提升转换效率并降低系统成本,从而在户...