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功率器件技术 SiC器件 功率模块 机器学习 ★ 5.0

基于人工神经网络的SiC MOSFET功率模块开关损耗预测

ANN-Assisted Switching Loss Prediction for SiC MOSFET Power Module

Youyang Wang · Wenxiao Wang · Shilong Zhu · Hui Zhu 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年5月

准确快速地确定开关损耗对于SiC MOSFET功率模块的能耗评估和系统散热设计至关重要。然而,传统方法难以兼顾建模复杂度和预测精度。本文提出了一种有效的开关损耗预测方法,利用人工神经网络(ANN)实现高精度与低复杂度的平衡。

解读: 该技术对阳光电源的核心业务具有极高价值。随着公司组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统向高功率密度、高效率方向演进,SiC器件的应用日益普及。该ANN辅助预测方法可直接优化逆变器及PCS的散热设计,减少过设计带来的成本浪费,并提升系统在极端工况下的热管理精度。建议研发团队将...