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基于E模兼容工艺的高线性度片上GaN-on-Si温度传感器
High-linearity on-chip GaN-on-Si temperature sensors based on an E-mode-compatible process
Xingchen Xiao · Junbo Liu · Wensong Zou · Pu Hong · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126
本文报道了一种基于增强型(E-mode)兼容工艺的高线性度片上GaN-on-Si温度传感器。该传感器利用AlGaN/GaN异质结构中的二维电子气对温度的敏感特性,实现了优异的线性响应。通过优化器件结构与制备工艺,传感器在宽温范围内表现出高稳定性与可重复性,线性相关系数超过0.999。该方案无需额外工艺步骤,可与标准GaN功率器件单片集成,适用于高密度功率系统中的实时温度监测。
解读: 该高线性度GaN温度传感器技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。在ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器中,GaN功率器件的热管理是提升功率密度和可靠性的关键瓶颈。该传感器基于E-mode工艺可与GaN功率器件单片集成,无需额外工艺步骤,实现芯片级实时温度监测,线性度超0.999保证精准热保护。可...