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基于多谐振核的宽调节范围Dickson谐振开关电容变换器
Multi-Resonance-Core-Based Dickson Resonant Switched-Capacitor Converters With Wide Regulation
Shouxiang Li · Zhenning Li · Shuhua Zheng · Wenhao Xie 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年2月
本文提出了一种基于多谐振核（MRC）的Dickson谐振开关电容变换器。通过对Cuk双谐振核（DRC）进行改进并扩展至Dickson拓扑，实现了输出电压的宽范围调节。该方案优化了开关电容变换器的谐振特性，提升了功率密度与调节能力。
解读: 该研究提出的多谐振核Dickson拓扑属于高功率密度DC-DC变换技术范畴。对于阳光电源而言，该技术在户用光伏逆变器及小型储能PCS的直流侧升压电路中具有潜在应用价值，有助于进一步缩小变换器体积并提升效率。建议研发团队关注其在宽电压输入范围下的软开关特性，评估其在提升户用储能系统集成度方面的可行性，...
基于耦合电感的交错式高升压变换器
Interleaved High Step-Up Converter With Coupled Inductors
Yifei Zheng · Wenhao Xie · Keyue Ma Smedley · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年7月
本文提出了一种新型基于耦合电感的交错式高升压变换器。输入侧采用交错配置以降低输入电流纹波并提升功率等级，输出侧采用串联结构以实现极高的升压增益。此外，该变换器显著降低了开关管的电压应力，从而有效减少开关损耗。
解读: 该拓扑结构在高升压比和低开关应力方面的优势，对阳光电源的组串式光伏逆变器（尤其是针对低压组件的优化）及户用光伏产品线具有重要参考价值。通过采用交错式结构，可以有效减小输入电流纹波，从而降低对光伏组件的应力并提升MPPT效率。此外，低电压应力特性允许选用更低额定电压的功率器件，有助于进一步提升逆变器的...
具有零电压开关和低输入电流纹波的高升压DC-DC变换器
High Step-Up DC–DC Converter With Zero Voltage Switching and Low Input Current Ripple
Yifei Zheng · Benjamin Brown · Wenhao Xie · Shouxiang Li 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年9月
本文提出了一种高升压DC-DC变换器。通过基于磁耦合的倍压技术，该变换器实现了高电压增益和较低的开关电压应力。此外，由于输入端采用了升压电感，实现了连续输入电流，非常适用于电池、燃料电池和光伏应用。同时，该拓扑实现了MOSFET的零电压开关（ZVS），有效降低了开关损耗。
解读: 该高升压拓扑对于阳光电源的组串式逆变器（尤其是针对低压光伏组件的优化）以及户用储能系统中的DC-DC级具有重要参考价值。其零电压开关（ZVS）特性有助于提升变换效率，降低散热压力，从而减小产品体积并提升功率密度。低输入电流纹波特性则能有效延长光伏组件及储能电池的使用寿命。建议研发团队评估该磁耦合技术...
一种具有宽调节范围的升压串并联双谐振开关电容变换器系列
A Family of Step-Up Series–Parallel Dual Resonant Switched-Capacitor Converters With Wide Regulation Range
Wenhao Xie · Shouxiang Li · Yifei Zheng · Keyue Ma Smedley 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年3月
本文提出了一系列新型升压串并联双谐振开关电容变换器（SP-DRSCs），旨在扩展高升压应用中的转换比。该拓扑具备宽增益范围、连续可调性及优化的轻载电压调节能力。所有飞跨电容均工作在谐振状态，有效消除了瞬态电流尖峰和电荷共享损耗。
解读: 该拓扑通过谐振开关电容技术实现了高升压比和高效率，对阳光电源的组串式光伏逆变器（尤其是针对高压组件的升压电路）及户用储能系统中的DC-DC级具有重要参考价值。其消除电流尖峰的特性有助于提升功率密度并降低EMI干扰。建议研发团队评估该拓扑在提升光伏系统MPPT效率及储能PCS升压环节的应用潜力，特别是...
基于SiC/派瑞林衬底的异质集成柔性GaN射频功率放大器
Heterogeneously Integrated Flexible GaN RF Power Amplifier on SiC/Parylene Substrate
Wenhao Zheng · Qingzhi Wu · Zhen Zhao · Ziyu Zhang 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年10月
柔性射频（RF）系统的发展增加了对高功率柔性氮化镓（GaN）放大器的需求。在本文中，提出了一种利用碳化硅（SiC）/聚对二甲苯异质集成衬底的异质集成工艺，用于制造柔性射频GaN功率放大器（PA）。在该制造工艺中，首先在厚度为 $100~\mu $ m的SiC衬底上设计GaN PA，然后在将其粘贴到临时载体上后，将其减薄至约 $\sim 5~\mu $ m。随后，通过化学气相沉积（CVD）将一层厚度为 $25~\mu $ m的聚对二甲苯层直接沉积到SiC衬底上，形成SiC/聚对二甲苯衬底。与纯聚对...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项柔性GaN射频功率放大器技术虽然聚焦于通信领域，但其底层的异质集成工艺和材料创新对我司在功率电子领域的技术演进具有重要参考价值。 该技术采用SiC/Parylene异质集成基板方案，通过将SiC衬底减薄至5微米并与柔性Parylene层结合，在保持柔性的同时显著改善了...