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拓扑与电路 可靠性分析 功率模块 ★ 2.0

具有辅助触发拓扑的改进型Marx脉冲发生器

Improved Marx Pulse Generator With Auxiliary Trigger Topology

Shuo Jin · Wenhao Han · Xiaoxing Zhang · Rui Zhang 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年5月

本文针对基于雪崩晶体管的Marx多级电路在纳秒脉冲应用中可靠性较低的问题,分析了其失效机理,指出导通模式是导致失效的主要原因。为此,文章设计了一种新型拓扑结构,通过改变导通模式,显著提升了电路的可靠性。

解读: 该文献研究的Marx脉冲发生器主要应用于高压脉冲领域,与阳光电源现有的光伏逆变器、储能PCS及充电桩等主流电力电子产品在拓扑架构上存在较大差异。然而,文章中关于“通过改变导通模式提升功率器件可靠性”的分析方法,对阳光电源研发团队在处理高压大功率变换器中的器件应力控制、故障诊断及可靠性设计具有一定的借...

拓扑与电路 PFC整流 PWM控制 单相逆变器 ★ 3.0

单级隔离式DCM Boost AC-DC变换器的改进谐波电流控制与负载范围扩展方法

Modified Harmonic Current Control and Load Range Extension Method for Single-Stage Isolated DCM Boost AC–DC Converter

Yuxuan Bi · Wenhao Wu · Junzhong Xu · Jie Chen 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月

单级DCM Boost AC-DC变换器因低成本、高效率和低母线电压优势备受关注。然而,传统方案在输入电流谐波控制方面仍有提升空间。此外,由于电感电流的DCM运行特性,其负载调节范围受限。本文提出了一种改进的控制策略,旨在优化谐波性能并扩展变换器的负载工作范围。

解读: 该研究聚焦于单级隔离式AC-DC变换器的拓扑优化与控制,与阳光电源的户用光伏逆变器及小型储能PCS产品线具有一定的技术关联。单级变换架构在降低系统成本和减小体积方面具有天然优势,符合户用产品追求高功率密度和低成本的趋势。该文提出的谐波抑制与负载扩展方法,可为阳光电源优化户用逆变器的电能质量控制策略提...

储能系统技术 储能系统 深度学习 ★ 5.0

基于四级编码与弱光换流的超低功耗电子式电流互感器

Ultra-Low Power Electronic Current Transducer Based on 4-Level Encoding and Weak-Light Commutation

Yong Zhang · Wenhao Xu · Xiangyu Shen · Zhichao He 等5人 · IEEE Transactions on Power Delivery · 2025年7月

针对有源电子式电流互感器(ECT)高压侧供电方案存在的小电流死区、能量转换效率低等问题,提出一种高压侧功耗低于4 mW的ECT设计。该方案采用电池供电,利用驱动电压为1.8 V、有效占空比0.16的发光二极管(LED)弱光模式工作,并通过双半桥结构的低功耗驱动电路将两个数字信号合并为单路四级信号,使LED功耗降低50%。低压侧采用融合支持向量机与循环神经网络的四级抗干扰解码方法。实验结果表明,该ECT高压侧最大功耗为3.14 mW,精度达0.2S级;联合解码算法可准确识别所有四级实验数据及由自编...

解读: 该超低功耗ECT技术对阳光电源储能与光伏产品线具有重要应用价值。其3.14mW功耗设计和0.2S级精度可直接应用于ST系列储能变流器和SG光伏逆变器的电流采样环节,解决高压侧供电难题,降低辅助电源损耗。四级编码弱光通信方案为PowerTitan大型储能系统的多点电流监测提供低成本隔离方案。融合SVM...

电动汽车驱动 SiC器件 GaN器件 ★ 5.0

基于SiC/派瑞林衬底的异质集成柔性GaN射频功率放大器

Heterogeneously Integrated Flexible GaN RF Power Amplifier on SiC/Parylene Substrate

Wenhao Zheng · Qingzhi Wu · Zhen Zhao · Ziyu Zhang 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年10月

柔性射频(RF)系统的发展增加了对高功率柔性氮化镓(GaN)放大器的需求。在本文中,提出了一种利用碳化硅(SiC)/聚对二甲苯异质集成衬底的异质集成工艺,用于制造柔性射频GaN功率放大器(PA)。在该制造工艺中,首先在厚度为 $100~\mu $ m的SiC衬底上设计GaN PA,然后在将其粘贴到临时载体上后,将其减薄至约 $\sim 5~\mu $ m。随后,通过化学气相沉积(CVD)将一层厚度为 $25~\mu $ m的聚对二甲苯层直接沉积到SiC衬底上,形成SiC/聚对二甲苯衬底。与纯聚对...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项柔性GaN射频功率放大器技术虽然聚焦于通信领域,但其底层的异质集成工艺和材料创新对我司在功率电子领域的技术演进具有重要参考价值。 该技术采用SiC/Parylene异质集成基板方案,通过将SiC衬底减薄至5微米并与柔性Parylene层结合,在保持柔性的同时显著改善了...