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重离子辐照在4H-SiC肖特基势垒二极管中诱导的陷阱浓度深度分布
Depth profile of trap concentration induced by heavy ion irradiation in 4H-SiC Schottky barrier diode
Xueqiang Yu · Xiaodong Xu · Hao Jiang · Lei Wu · Applied Physics Letters · 2025年7月 · Vol.127
本文研究了重离子辐照在4H-SiC肖特基势垒二极管中引入的缺陷陷阱浓度随深度的分布特性。通过变能量重离子辐照结合深能级瞬态谱技术，获得了不同深度处的陷阱浓度分布，并分析了主要缺陷能级（如Z1/Z2和HK中心）的形成机制与空间演化规律。结果表明，陷阱浓度分布与离子射程及电子/核能损密切相关，缺陷峰值区域位于近表面至几个微米深度范围内。该研究为理解SiC器件在高能粒子环境下的退化机理提供了实验依据。
解读: 该研究对阳光电源SiC功率器件的可靠性设计具有重要指导意义。研究揭示的重离子辐照导致的缺陷分布特性，直接关系到我司ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器中SiC器件的辐照耐受性。特别是在航天级和核电站配套的高可靠性产品中，需要充分考虑这种缺陷效应对器件性能的影响。基于该研究成果，我们可以优化SiC器...
基于O-Z源阻抗网络的中点钳位三电平逆变器性能分析与拓扑研究
Performance Analysis and Topology of Neutral-Point-Clamped Three-Level Inverter Based on O-Z-Source Impedance Network
Weiqi Xu · Min Lu · Lijiao Gong · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月
针对传统Z源逆变器升压能力不足、电容电压应力高及启动电流大等问题，本文提出了一种基于O型Z源阻抗网络的新型NPC三电平逆变器（O-ZSI）。文章通过稳态分析，推导了该拓扑的直流侧电压及相关电气参数表达式，验证了其在提升电压增益和降低器件应力方面的优势。
解读: 该拓扑通过改进阻抗网络优化了三电平逆变器的升压特性，对阳光电源的组串式逆变器及集中式逆变器产品线具有参考价值。在光伏发电系统中，该技术有助于在宽输入电压范围内实现更高效的升压转换，从而减少对前级DC-DC变换器的依赖或降低功率器件的耐压等级。建议研发团队评估该拓扑在提升系统功率密度及降低开关损耗方面...