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基于源/漏隧道结接触实现漏极电流超过110 mA/mm的增强型GaN/AlGaN p沟道场效应晶体管
Enhancement-mode GaN/AlGaN p-channel field effect transistors with _I_ D **>** 110 mA/mm achieved through source/drain tunnel junction contacts
Zhaofeng Wang · Zhihong Liu · Xiaojin Chen · Xing Chen 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126
本文报道了一种采用源极/漏极隧道结接触技术实现高性能增强型GaN/AlGaN p沟道场效应晶体管的研究。通过优化Mg掺杂p型层结构与低温外延生长工艺，显著提升了空穴浓度与迁移率，实现了低电阻欧姆接触。器件在常温下表现出增强型工作特性，最大漏极电流密度超过110 mA/mm，跨导达15 mS/mm，亚阈值摆幅为120 mV/dec。该结果为宽禁带半导体p沟道器件的性能突破提供了有效路径。
解读: 该p沟道GaN器件技术对阳光电源功率电子产品具有重要应用价值。110 mA/mm的电流密度和增强型特性可应用于：1）ST储能变流器和PowerTitan系统的双向功率变换模块，p沟道与n沟道GaN器件互补配对可实现更高效的三电平拓扑和双向DC-DC变换；2）车载OBC和电机驱动系统，p沟道器件可简化...
基于被动式光纤法布里-珀罗干涉传感器的盐雾环境下光伏组件漏电流智能监测
Smart monitoring of potential induced leakage current of photovoltaic under salt mist environment based on passive optical Fabry–Perot interference sensor
Yingdun Yea · Weihang Dengb · Zifan Yec · Fouad Belhora 等5人 · Solar Energy · 2025年1月 · Vol.299
摘要 漏电流会加速光伏组件的老化，影响光伏（PV）系统的长期可靠性，在盐雾环境中这种效应可能进一步加剧。现有的漏电流监测技术，如分流电阻和霍尔电流传感器，虽具备一定的实用功能，但在海上光伏应用中存在抗电磁干扰能力弱、无法实现无源监测等局限性。本文提出了一种基于法布里-珀罗（F-P）干涉原理的光纤漏电流传感器，用于对光伏组件的漏电流进行实时监测。该传感器表现出优异的线性度（0.994）和灵敏度（408.33 pm/kV）。结果表明，该传感器具有高线性度、可实现无源监测以及良好的抗电磁干扰性能。同时...
解读: 该光纤法布里-珀罗传感技术对阳光电源海上光伏及储能系统具有重要应用价值。针对SG系列逆变器和PowerTitan储能系统在盐雾环境下的漏电流监测痛点,该无源光学传感方案可有效解决传统霍尔传感器电磁干扰问题,灵敏度达408.33pm/kV且线性度0.994。可集成至iSolarCloud平台实现预测性...
耐受1.27 GW/cm²反向阻断的E型GaN-Si(100)单片异质集成级联开关
1.27 GW/cm² Reverse Blocking E-Mode GaN-Si(100) Monolithic Heterogeneous Integration Cascode Switch With Ultralow Turn-On Voltage and Dynamic RON
Yutong Fan · Weihang Zhang · Yachao Zhang · Yinhe Wu 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年2月
在本文中，展示了一种在具有氮化铝（AlN）缓冲层的碳化硅（SiC）衬底上实现的具有反向阻断兼容性的增强型（E - Mode）氮化镓 - 硅（GaN - Si(100)）单片异质集成共源共栅开关（RBMHIC - 开关）。栅漏间距（LGD）小于 22 微米的 RBMHIC - 开关的阈值电压（VTH）为 2.64 V，正向栅极电压摆幅达 16.27 V，导通电压（VON）为 0.3 V，在 - 2000 V 时反向漏电流（IR）极低，仅为 3.5×10⁻⁴ mA/mm。该开关实现了 2264 V ...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项GaN-Si异质集成反向阻断开关技术具有显著的战略价值。该器件实现了1.27 GW/cm²的功率品质因数，这一指标直接关系到我们光伏逆变器和储能变流器的功率密度提升潜力。 该技术的核心优势在于三个方面与我们的产品需求高度契合：首先，2200V级的双向阻断能力配合极低的...