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p-GaN HEMT中关态漏电流形成机制的分析
Analysis of the Formation of the Off-State Leakage Current in p-GaN HEMT
Ya-Huan Lee · Po-Hsun Chen · Yu-Hsuan Yeh · Jui-Tse Hsu 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2024年12月
本研究对 p - 氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的关态漏电流（ ${I} _{\text {off}}$ ）进行了分析。在漏极偏压较低（约低于 100 V）时，漏电流主要由源电极的穿通漏电流主导，随着偏压升高， ${I} _{\text {off}}$ 增大。然而，当漏极偏压处于中等水平（达到 400 V）时，由于栅极电子注入，穿通漏电流会减小。电子会注入到 GaN 缓冲层，间接导致 ${I} _{\text {off}}$ 减小。最后，当漏极偏压较高（达到 700 V）时，主要...
解读: 从阳光电源光伏逆变器和储能系统的核心应用场景来看，这项关于p-GaN HEMT器件关断态漏电流机理的研究具有重要的技术参考价值。GaN功率器件凭借其高频、高效、高功率密度的特性，正逐步成为新一代光伏逆变器和储能变流器的关键功率开关元件，直接影响系统的转换效率和可靠性。 该研究揭示了p-GaN HE...
一种用于低交叉调节和改善电流平衡的双输出混合变换器
A Hybrid Converter With Dual Outputs for Low Cross Regulation and Improved Current Balance
Sheng Cheng Lee · Min-Chu Chien · Wei-Chieh Hung · Cheng-Wen Chen 等12人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年8月
传统单电感双输出变换器存在能量传输不连续问题，导致输出电压纹波大及交叉调节效应。本文提出了一种基于0.15μm BCD工艺的双降压双输出变换器，采用混合和与偏差控制策略，实现了25mV的低输出电压纹波并最小化了交叉调节影响。
解读: 该研究聚焦于集成电路层面的双输出DC-DC拓扑优化，主要应用于芯片级电源管理（PMIC）。对于阳光电源而言，该技术与核心的组串式逆变器或PowerTitan储能系统中的大功率电力电子变换器存在差异。然而，该文提出的“混合和与偏差控制”策略在提升多路输出电源的动态响应和纹波抑制方面具有参考价值，可为i...