一种用于5G MIMO应用的高功率RF SOI开关，峰值P-₀.₁dB功率达48.7 dBm

A High-Power RF SOI Switch With 48.7-dBm P-₀.₁dB Peak Power for 5G MIMO Applications

Wanfu Liu · Jianhui Wu · IEEE Electron Device Letters · 2025年3月

本简报中，采用130纳米射频绝缘体上硅（RF SOI）技术设计并实现了一款工作在2~4 GHz频段的高功率射频开关。为提高发射（Tx）模式下的高功率处理能力，提出并分析了一种在关断并联支路实现均匀分压的串联和并联堆叠结构。对于射频开关的并联支路，通过调整晶体管之间的宽度比来平衡高功率下各晶体管的漏源电压（Vds）差异，从而确保高功率处理能力。此外，所提出的设计采用基于电容的补偿方法进一步均衡分压。实验结果表明，所提出的射频开关在105°C温度下实现了48.7 dBm（74瓦）的0.1 dB压缩点...

解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项针对5G MIMO应用的高功率RF SOI开关技术虽然主要面向通信领域，但其核心设计理念对我们的光伏逆变器和储能系统具有重要的技术借鉴价值。 该技术的核心亮点在于通过串并联堆叠结构和电容补偿实现均匀分压，使器件在高功率状态下达到48.7 dBm（74W）的功率处理能力...