找到 2 条结果
集成级间变压器的双交错高功率并网变换器LCL滤波器优化
Optimization of LCL Filter With Integrated Intercell Transformer for Two-Interleaved High-Power Grid-Tied Converters
Ki-Bum Park · Frederick D. Kieferndorf · Uwe Drofenik · Sami Pettersson 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年3月
为提升系统功率等级，电压源变换器（VSC）的并联技术至关重要。本文研究了交错并联（ILV）技术，通过对开关信号进行交错处理，相比硬并联（HP）显著改善了谐波频谱。文章重点探讨了集成级间变压器的LCL滤波器优化设计，旨在提升高功率并网变换器的电能质量与功率密度。
解读: 该研究对于阳光电源的组串式逆变器及大功率集中式逆变器产品线具有极高的参考价值。随着光伏电站向更高功率密度演进，交错并联技术结合集成磁件的LCL滤波器设计，能有效减小磁性元件体积并优化谐波性能，从而降低系统成本并提升效率。建议研发团队关注集成级间变压器在多路并联组串式逆变器中的应用，以优化高功率等级下...
硅基IGBT与碳化硅MOSFET交叉开关混合技术特性研究
Characterization of a Silicon IGBT and Silicon Carbide MOSFET Cross-Switch Hybrid
Munaf Rahimo · Francisco Canales · Renato Amaral Minamisawa · Charalampos Papadopoulos 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年9月
本文实验验证了一种硅基IGBT与碳化硅（SiC）MOSFET并联的交叉开关（XS）混合方案。该技术旨在通过结合双极型Si IGBT的低导通损耗优势与单极型SiC MOSFET的快速开关特性，优化功率器件的静态与动态损耗，从而提升整体电气与热性能。
解读: 该混合开关技术对阳光电源的核心产品线具有重要战略意义。在组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）中，通过Si IGBT与SiC MOSFET的混合应用，可以在不完全依赖昂贵全SiC方案的前提下，显著降低开关损耗并提升功率密度，从而优化系统散热设计和整机效率。建...