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功率器件技术 IGBT 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

一种基于PCB RCCS的并联IGBT模块瞬态电流平衡有源门极驱动方法

An Active Gate Driver Method for Transient Current Balancing of Parallel IGBT Modules Based on PCB RCCS

Tao Tang · Wensheng Song · Jian Chen · Tingwen Hu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年11月

多并联IGBT模块可提升功率变换器载流能力,但因参数不一致及工况差异,易导致瞬态电流不平衡,引发“电-热”应力分布不均,威胁系统安全。本文提出一种基于PCB集成Rogowski线圈电流传感器(RCCS)的有源门极驱动方法,有效改善并联模块间的瞬态电流均衡性。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线(如集中式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统)具有极高的应用价值。在大功率电力电子设备中,IGBT模块的并联是实现高功率密度的关键,但电流不平衡往往限制了器件的利用率并影响系统寿命。通过引入基于PCB RCCS的有源门极驱动技术,公司可以更精准...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 5.0

一种变负载电流条件下SiC MOSFET电压过冲抑制的自调节有源栅极驱动器

A Self-Regulating Active Gate Driver of Voltage Overshoot Suppression for SiC MOSFETs Under Variable Load Current Conditions

Wensheng Song · Tingwen Hu · Jian Chen · Tao Tang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年8月

相比硅基器件,SiC MOSFET具有更快的开关速度和更高的开关频率。然而,其快速开关特性与功率回路中的寄生电感会导致关断瞬态产生严重的电压过冲。本文提出了一种自调节有源栅极驱动电路,旨在变负载电流条件下有效抑制SiC MOSFET的电压过冲,提升功率变换系统的可靠性。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。随着阳光电源在组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统中全面推进SiC器件的应用以提升功率密度和效率,关断电压过冲问题直接影响器件寿命与系统可靠性。该自调节驱动技术可有效解决高频开关下的电压尖峰问题,减少对吸收电路(Snubbe...