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拓扑与电路 DC-DC变换器 充电桩 ★ 2.0

一种用于高抗偏移能力和恒压输出的四正交双水平电容耦合器混合CPT系统

A Hybrid CPT System Using Quadrature Double Horizontal Capacitive Couplers for High-Misalignment Tolerance and Constant Voltage Output

Ting Chen · Zhihui Ma · Zhicheng Xu · Fengxian Wang 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年3月

针对电容式电能传输(CPT)系统中因气隙变化和偏移导致的耦合波动问题,本文提出了一种采用正交双水平电容耦合器的混合CPT系统。该系统通过特殊的耦合结构设计,实现了高抗偏移能力和恒定电压(CV)输出,有效提升了系统的传输稳定性和效率。

解读: 该技术属于无线电能传输(WPT)领域,目前阳光电源的电动汽车充电桩业务主要集中在有线充电解决方案。虽然CPT技术在未来电动汽车无线充电或小型化设备供电中具有潜力,但考虑到当前技术成熟度、传输功率限制及成本,该技术短期内对阳光电源核心产品线(光伏逆变器、储能系统、有线充电桩)的直接应用价值有限。建议研...

拓扑与电路 DC-DC变换器 充电桩 ★ 2.0

一种具有高电压增益和高效率的混合无线电能传输系统优化设计

Optimal Design of a Hybrid Wireless Power Transfer System With High Voltage Gain and High Efficiency

Ting Chen · Yuqiao Wang · Fengxian Wang · Xian Zhang 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年3月

本文提出了一种新型混合无线电能传输系统,通过集成双模功率传输机制,实现了高电压增益与高效率。该系统采用紧凑型混合耦合器,由中心两对解耦双极线圈和周围两对解耦发射-接收电容极板组成,有效提升了能量传输性能。

解读: 该技术主要涉及无线电能传输(WPT),目前阳光电源在电动汽车充电桩业务中主要以有线快充为主。虽然无线充电是未来电动汽车补能的重要补充方向,但该技术与公司现有的组串式/集中式光伏逆变器、储能系统(PowerTitan/PowerStack)及有线充电桩产品线关联度较低。建议研发团队关注该混合耦合器在提...

拓扑与电路 DC-DC变换器 功率模块 ★ 2.0

一种具有快速最优比搜索方案的完全集成非对称并联开关电容DC-DC变换器,用于负载瞬态增强

A Fully Integrated Asymmetrical Shunt Switched-Capacitor DC–DC Converter With Fast Optimum Ratio Searching Scheme for Load Transient Enhancement

Yen-Ting Lin · Yan-Jiun Lai · Hung-Wei Chen · Wen-Hau Yang 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年9月

本文提出了一种改进的基于负极性转换器(NSC)的开关电容(SC)DC-DC变换器,旨在实现细粒度的电压转换比。通过在末级重构多个2:1 SC变换器,该非对称并联SC(ASSC)变换器提供了更多可控的正向和反馈增益变量,并引入快速最优比搜索方案以提升负载瞬态响应性能。

解读: 该技术主要针对芯片级或板级的高功率密度DC-DC转换,侧重于开关电容拓扑的细粒度控制与瞬态响应优化。对于阳光电源而言,该技术目前与大功率光伏逆变器或储能PCS的核心功率拓扑(通常基于磁性元件的硬/软开关电路)关联度较低。但在户用光伏优化器(Optimizer)或iSolarCloud配套的智能传感与...

拓扑与电路 DC-DC变换器 PWM控制 ★ 2.0

面向高安全性万物互联设备Buck DC-DC变换器的真随机数伪滞环控制器

A True-Random-Number-Based Pseudohysteresis Controller for Buck DC–DC Converter in High-Security Internet-of-Everything Devices

Wen-Hau Yang · Shao-Wei Chiu · Chun-Chieh Kuo · Yen-Ting Lin 等11人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年3月

针对高安全性万物互联(IoE)设备,本文提出了一种基于真随机数(TRN)的伪滞环控制器(PHC)。该方法在不牺牲瞬态响应和调节性能的前提下,有效防御了功率侧信道攻击(PSCA)和功率注入攻击(PIA),并降低了电磁干扰(EMI)。

解读: 该技术主要针对高安全等级的微型电子设备,通过随机化开关频率来提升抗攻击能力和EMI性能。对于阳光电源而言,该技术在户用光伏逆变器或iSolarCloud智能运维平台的通信模块、传感器及边缘计算网关中具有潜在的参考价值。随着光伏与储能系统数字化程度提升,设备的信息安全与抗干扰能力日益重要。虽然该技术目...

功率器件技术 GaN器件 LLC谐振 DC-DC变换器 ★ 4.0

一种基于单片GaN的LLC-SRC,具有低于1 mA的静态电流和98.6%的峰值效率,符合能源之星和80 Plus钛金标准

A Monolithic GaN-Based LLC-SRC With Sub-1 mA Quiescent Current and 98.6% Peak Efficiency for Energy Star Standard and 80 Plus Titanium Standard

Chi-Yu Chen · Po-Jui Chiu · Xiao-Quan Wu · Yu-Ting Huang 等11人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年12月

本文提出了一种基于GaN的混合栅极驱动器,包含两种逆变器,在25 MHz高频下实现了23.2 μA的低静态电流。通过自动预充技术监测自举电容电压,将待机漏电流从毫安级降至62 μA,使系统峰值效率达到98.6%,满足高能效标准。

解读: 该技术在宽禁带半导体应用及高频高效拓扑方面具有重要参考价值。对于阳光电源的户用光伏逆变器及充电桩产品线,GaN器件的应用能显著提升功率密度并降低待机功耗,助力产品满足严苛的能效标准(如80 Plus钛金级)。建议研发团队关注该单片集成驱动技术,探索其在小功率DC-DC变换模块中的应用,以优化轻载效率...

储能系统技术 储能系统 ★ 5.0

基于流体域热阻分析的固液相变过程评价与调控

Evaluation and regulation of solid–liquid phase change process based on thermal resistance analysis in fluid domain

Ting Wang · Xiangxuan Li · Ting Ma · Qiuwang Wang · Energy Conversion and Management · 2025年11月 · Vol.344

相变材料(PCMs)具有优异的热稳定性、循环性能和高储能密度,广泛应用于热能储存系统中。然而,传统储热单元结构简单,导致传热路径单一,储热效率较低,严重限制了能量的有效利用。由于相变过程中实验方法的局限性,当前的优化手段主要依赖于对温度场、流场、固液界面以及液相分数、熔化时间等全局参数的整体分析,缺乏对局部区域的详细分析与评估,难以揭示热性能提升背后的机理。本研究通过改变储热单元的边界条件和长宽比,采用热阻分析方法,系统地分析了局部与全局的流动及传热行为。研究发现,储热单元内部会出现明显的“树状...

解读: 该相变储热技术对阳光电源PowerTitan储能系统的热管理优化具有重要参考价值。研究提出的'树状'热阻分析方法可应用于ST系列PCS及电池簇的散热结构设计,通过识别高热阻区域优化散热路径,相比传统直翅片可降低23.96%热阻。该方法可指导储能柜内部风道布局和液冷管路设计,提升功率器件散热效率,延长...

储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 4.0

用于Ka波段低压无线通信应用的高性能AlN/GaN/AlN/GaN双通道鳍式HEMT

High Performance AlN/GaN/AlN/GaN Double Channel Fin-HEMT For Ka-band Low Voltage Wireless Communication Applications

Can Gong · Minhan Mi · Yuwei Zhou · Ting Meng 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年11月

在本文中,提出了一种用于Ka波段低压移动通信应用的高性能AlN/GaN/AlN/GaN双沟道鳍式高电子迁移率晶体管(DCF - HEMT)。得益于鳍式结构,所制备的DCF - HEMT展现出了改善的关态栅极控制特性。该晶体管的薄层电阻($R_{\mathrm{SH}}$)低至$174 \Omega /$□,源漏间距短至$1.5 \mu \mathrm{~m}$,AlN/GaN/AlN/GaN DCF - HEMT实现了高达$2613 \mathrm{~mA} / \mathrm{mm}$的最大电...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这篇关于AlN/GaN双沟道Fin-HEMT器件的研究虽然聚焦于Ka波段无线通信应用,但其核心技术突破对我司功率电子产品具有重要的借鉴价值和潜在应用前景。 该器件展现的技术特性与我司光伏逆变器、储能变流器等核心产品的技术需求存在显著契合点。首先,双沟道结构实现的低薄层电阻...