Yuta Yanagisawa · Yushi Miura · Hiroyuki Handa · Tetsuzo Ueda 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年11月

本文研究了氮化镓异质结场效应晶体管（GaN-HFET）在电力电子变换器中的应用。利用GaN器件的高频特性，可有效提升开关频率并实现变换器的小型化。文章重点分析了采用Class Phi-2逆变器的隔离型DC-DC变换器在不同负载下的工作特性，旨在解决高频化带来的开关损耗问题，为高功率密度变换器设计提供理论依据。

解读: 该研究聚焦于宽禁带半导体GaN器件在高频DC-DC变换器中的应用，这对阳光电源的下一代高功率密度产品研发具有重要参考价值。在户用光伏逆变器和小型化储能PCS（如PowerStack系列）中，利用GaN器件提升开关频率可显著减小磁性元件体积，提升整机功率密度。建议研发团队关注Class Phi-2拓扑...