Nguyen Kien Trung · Takuya Ogata · Shinichi Tanaka · Kan Akatsu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年4月

在13.56 MHz高频下，电路寄生参数严重影响逆变器的稳定性、性能及效率。本文详细分析了半桥逆变器中寄生元件引起的高频振荡现象，并提出了一种旨在衰减这些寄生影响的逆变器设计方案。

解读: 该研究聚焦于极高频（13.56 MHz）下的电路寄生参数抑制，这对阳光电源的电动汽车充电桩业务具有前瞻性参考价值，特别是针对未来无线充电技术（WPT）的研发。虽然目前主流光伏逆变器和储能PCS工作频率较低，但随着宽禁带半导体（GaN/SiC）在功率模块中的广泛应用，高频化带来的寄生振荡问题愈发突出。...