找到 1 条结果
基于蓝宝石衬底、采用i线光刻实现百纳米级鳍宽的常关型准垂直GaN FinFET
Normally-Off, Quasi-Vertical GaN FinFETs on Sapphire Substrates With Fin Widths Structured by i-Line Lithography in the 100 nm Range
Matthias Sinnwell · Michael Dammann · Rachid Driad · Michael Mikulla 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年5月
本研究报告了在蓝宝石衬底上制备垂直氮化镓（GaN）鳍式场效应晶体管（FinFET）的情况。FinFET概念可实现具有密集多沟道结构的常关型晶体管。然而，使用耗时的电子束光刻技术是在晶圆级实现高效器件生产的一大障碍。因此，本研究探讨了利用i线光刻技术制造宽度小于200纳米的亚微米级细鳍片的可能性。从较宽的鳍片开始，通过湿法蚀刻使其变薄，会导致鳍片长度意外缩短，因此需要将鳍片宽度制作得远小于所使用的波长。我们的工艺证明能够实现100纳米左右的鳍片宽度。该FinFET至少由100个鳍片组成，其最大平均...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于蓝宝石基底的垂直GaN FinFET技术具有重要的战略价值。该技术实现了常关型（Normally-Off）器件，这是光伏逆变器和储能系统功率转换中的关键安全特性，可有效降低待机损耗并提升系统可靠性。 该研究最具突破性的贡献在于采用i-line光刻工艺实现了100纳...