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具有自平衡开关电容的三相升压多电平逆变器
Three-Phase Step-Up Multilevel Inverter With Self-Balanced Switched-Capacitor
Yuanmao Ye · Shikai Chen · Ruijie Sun · Xiaolin Wang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年7月
本文提出了一种适用于电动汽车和可再生能源等低压应用的新型三相多电平升压逆变器。该拓扑由单一直流源供电，每相包含两个低压管、两个高压管、两个二极管和两个电容。该结构具备升压能力，且部分器件承受电压应力较低，有助于提升系统效率与功率密度。
解读: 该拓扑的升压特性与自平衡电容设计，对阳光电源的户用光伏逆变器及电动汽车充电桩业务具有参考价值。在户用场景中，该技术可简化升压级电路，提升转换效率并降低系统成本；在充电桩领域，其高功率密度特性有助于优化模块体积。建议研发团队评估该拓扑在低压输入、高压输出场景下的动态响应与电容电压平衡控制策略，探索其在...
基于4H-SiC MOSFET的ANN建模用于极端温度应用的SiC放大器设计与验证
Design and Verification of SiC Amplifiers for Extreme Temperature Applications Based on ANN Modeling of 4H-SiC MOSFETs
Wenhao Yang · Yuyin Sun · Mengnan Qi · Shikai Sun 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年8月
本研究提出了一种基于高精度人工神经网络（ANN）的碳化硅（SiC）金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET）建模框架，该框架在较宽的温度范围（27 °C - 500 °C）内实现了误差小于1.2%的高精度建模。所开发的模型可对碳化硅集成电路进行可靠的SPICE仿真，有助于高温模拟电路的设计和实验验证。采用pMOS电流源负载的单级共源（CS）放大器在500 °C时的最大低频增益达到25.5 dB，而两级放大器在500 °C时可实现52.5 dB的增益，单位增益带宽（UGBW）为220...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于人工神经网络的SiC MOSFET建模技术具有重要的战略价值。该研究实现了27°C至500°C宽温度范围内误差小于1.2%的高精度器件模型，为极端环境下的功率电子应用提供了可靠的设计工具。 对于光伏逆变器和储能系统而言，该技术的核心价值体现在三个层面：首先，高温工...