Henry Thomas · A. Ashok Kumar · Shaik Kaleemull · V. Rajagopal Reddy · Solid-State Electronics · 2025年1月 · Vol.225

通过在不同衬底温度（室温（RT）、TS = 150 °C 和 250 °C）下沉积V2O5薄膜，制备了V2O5/n-Ge异质结，并研究了其电学与光伏特性。对V2O5薄膜的光学性质进行了分析，结果表明直接允许跃迁为最主要的跃迁方式。红外光谱测量显示V2O5薄膜中存在振动吸收带，证实了V=O和V–O–V化学键的存在。随着衬底温度升高，这些吸收带发生位移，表明化学键长发生变化，这可能是由于V2O5薄膜中应变效应所致。同时对V2O5/n-Ge异质结进行了X射线衍射分析，结果显示V2O5(RT)/n-Ge...

解读: 该V2O5/n-Ge异质结研究揭示了衬底温度对光伏器件性能的关键影响,对阳光电源SG系列光伏逆变器的MPPT优化及功率器件开发具有参考价值。研究中150°C衬底温度实现最佳光响应灵敏度,为我司SiC/GaN功率器件的制造工艺温度控制提供理论依据。异质结陷阱电荷限制电流机制的分析,可应用于ST系列储能...