找到 2 条结果
60Co γ辐照引起的p-GaN栅极AlGaN/GaN HEMT漏电机制
Gate leakage mechanisms caused by 60Co gamma irradiation on p-GaN gate AlGaN/GaN HEMTs
Danmei Lin · Xuefeng Zheng · Shaozhong Yue · Xiaohu Wang · Applied Physics Letters · 2025年9月 · Vol.127
研究了60Co γ射线辐照对p-GaN栅极AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）栅极漏电特性的影响。实验结果表明，辐照后栅极漏电流显著增加，主要归因于γ光子诱导的位移损伤在p-GaN/AlGaN界面附近形成受主型缺陷，导致隧穿势垒降低和漏电路径增强。通过电容-电压与电流-电压特性分析，确认辐照诱发的缺陷能级位于禁带中下部，促进了Frenkel对的生成与载流子热发射过程。该工作揭示了p-GaN基HEMT在辐射环境下的可靠性退化机制。
解读: 该研究对阳光电源GaN器件应用的可靠性设计具有重要参考价值。研究揭示的γ辐照导致p-GaN栅极漏电增加的机理,可指导我们在SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器中GaN器件的防护设计。特别是对于航天级或核电站配套的特种变流设备,需要重点考虑辐照环境下GaN器件的栅极可靠性问题。建议在功率模块设计时采...
基于P-CLCL补偿电路的单开关感应电能传输恒压恒流输出
Constant-Voltage and Constant-Current Output Using P-CLCL Compensation Circuit for Single-Switch Inductive Power Transfer
Rui Yue · Chunfang Wang · Houji Li · Yunrui Liu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年5月
本文提出了一种用于单开关感应电能传输系统的P-CLCL补偿网络，旨在实现恒流（CCO）和恒压（CVO）输出特性。通过切换工作频率，系统可在CCO和CVO模式间灵活转换。该方案简化了拓扑结构，降低了控制复杂度，为无线电能传输提供了高效的解决方案。
解读: 该技术主要涉及无线电能传输（WPT）领域，与阳光电源现有的电动汽车充电桩业务具有潜在的技术关联性。虽然目前主流充电桩以有线连接为主，但随着大功率无线充电技术在乘用车及商用车领域的应用探索，该P-CLCL拓扑在简化电路结构、降低成本方面具有参考价值。建议研发团队关注其在低功率辅助充电或特定工业场景下的...