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储能系统技术 储能系统 SiC器件 有限元仿真 ★ 5.0

脉冲功率载荷下引线与带状键合的多物理场有限元分析

Multiphysics Finite Element Analysis of Wire and Ribbon Bonds Under Pulse Power Loads

Maliq Martin · Richard McMahon · Li Ran · Jonny Ranner · IET Power Electronics · 2025年9月 · Vol.18

采用多物理场有限元方法研究铝引线键合在脉冲功率应用中的可靠性问题。大电流导通产生的洛伦兹力对引线键合结构施加显著机械应力,导致引线与芯片界面过度受力,影响长期可靠性。文中提出并分析了一种初步的铝带状键合替代方案,评估其在类似载荷条件下的力学响应与潜在优势。

解读: 该多物理场仿真技术对阳光电源功率器件封装设计具有重要应用价值。在ST系列储能变流器和SG系列大功率逆变器中,SiC/IGBT模块需承受高频脉冲电流,引线键合处的洛伦兹力效应直接影响功率循环寿命。研究提出的铝带状键合方案可优化PowerTitan储能系统中功率模块的机械应力分布,降低芯片-引线界面失效...

功率器件技术 DC-DC变换器 GaN器件 宽禁带半导体 ★ 4.0

具有负栅极电压的GaN DC-DC降压变换器中的自举电压与死区时间行为

Bootstrap Voltage and Dead Time Behavior in GaN DC–DC Buck Converter With a Negative Gate Voltage

Philipp Marc Roschatt · Stephen Pickering · Richard A. McMahon · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年10月

针对氮化镓(GaN)增强型FET阈值电压较低的问题,本文提出了一种在低侧FET上施加负栅极偏置电压的驱动方案,以提升dV/dt抗扰度。研究指出,该方案会导致死区时间内的电压降显著增加,进而可能引发自举电容过充,对变换器的可靠性产生影响。

解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型储能系统(如PowerStack)中对高功率密度和高效率的需求日益增长,GaN器件的应用成为提升系统性能的关键。本文研究的负压驱动技术能有效解决GaN在高频开关下的dV/dt误导通问题,提升系统可靠性。建议研发团队在开发下一代高频紧凑型DC-DC变换器时,重点评估该...