Rajashree Bhattacharya · IEEE Transactions on Electron Devices · 2024年12月

绝缘体 - 金属相变氧化物为突破当前射频限幅器技术的限制提供了契机。在本文中，我们展示了基于溅射在碳化硅衬底上的钴酸镧（LaCoO₃，LCO）的并联功率限幅器。本文所介绍的 LCO 限幅器在基于绝缘体 - 金属相变（IMT）材料的射频开关中，实现了有报道以来最宽温度范围（从 10°C 到 225°C）内的限幅性能。在 2 GHz 频率下，该功率限幅器在高达 75°C 的温度下插入损耗小于 1 dB，可承受高达 40 dBm 的功率，泄漏功率为 20 dBm。我们在 0.1 至 50 GHz 范围...

解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于钴酸镧（LaCoO3）材料的射频限幅器技术具有重要的潜在应用价值。在光伏逆变器和储能系统中，功率变换设备面临日益严峻的电磁兼容性挑战，特别是在高功率密度设计和复杂电磁环境下，射频干扰抑制成为关键技术瓶颈。 该技术的核心优势在于其宽温度工作范围（10-225°C）和...