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基于准方波零电压开关滞环电流控制的高效通信功率转换
Efficient Talkative Power Conversion With Quasi-Square-Wave Zero-Voltage Switching Hysteretic Current Control
Stefan Mönch · Carsten Kuring · Xiaomeng Geng · Peter A. Hoeher 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年10月
本文提出了一种改进的模拟滞环电流控制方法，在无需额外硬件的情况下，通过将数据注入功率变换器的控制信号，实现了功率与数据的同步传输。研究以半桥GaN变换器为例，验证了该方法在保持99.1%高效率的同时，实现了高效的准方波零电压开关（ZVS）性能。
解读: 该技术通过控制信号实现功率与数据同步传输，无需额外硬件，对阳光电源的户用光伏逆变器及微型逆变器产品具有重要参考价值。随着GaN器件在小型化、高频化产品中的普及，该方案有助于优化电路拓扑，提升功率密度。建议研发团队关注其在iSolarCloud智能运维平台数据回传中的潜在应用，通过功率链路实现设备状态...
基于PCB嵌入式GaN-on-Si半桥及驱动IC与片上栅极和直流母线电容
PCB-Embedded GaN-on-Si Half-Bridge and Driver ICs With On-Package Gate and DC-Link Capacitors
Stefan Moench · Richard Reiner · Patrick Waltereit · Fouad Benkhelifa 等13人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年1月
本文提出了一种通过将两个GaN-on-Si IC嵌入PCB中，实现低电感半桥及驱动器封装的方法，并集成了片上栅极和直流母线电容。该技术解决了传统单片集成方案中外部电容互连寄生参数大的难题，有效降低了功率回路电感，提升了高频开关性能。
解读: 该技术通过PCB嵌入式封装显著降低了寄生电感，是提升功率密度和开关频率的关键路径。对于阳光电源的组串式光伏逆变器及户用储能系统，采用GaN器件并优化封装设计，可进一步减小体积、提升转换效率。建议研发团队关注该嵌入式封装工艺在下一代高频化、小型化逆变器中的应用潜力，特别是在追求极致功率密度的户用产品线...
基于GaN-on-Si技术的自兼容高压级联晶体管
Self-Compatible Transistors in GaN-on-Si Technology for High-Voltage Cascodes
Richard Reiner · Patrick Waltereit · Michael Basler · Daniel Grieshaber 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年11月
本研究介绍了基于硅基氮化铝镓/氮化镓（AlGaN/GaN-on-Si）技术的自兼容多级级联功率晶体管“模块”的设计与特性表征，该模块可实现模块化堆叠，适用于高压应用。与传统方法（如超级级联或多电平拓扑）不同，所提出的解决方案由堆叠的晶体管分段直接驱动，无需额外组件，如栅极控制网络或带电平转换的多个驱动器。这使得配置更加简单且成本更低。利用自兼容构建模块的概念，我们展示了直接驱动的多级级联器件，其中所有分段均采用相同结构。通过栅极绝缘层工程实现了对高度负阈值电压的关键要求，同时器件仿真证实了分段电...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于GaN-on-Si技术的自兼容级联功率晶体管方案具有重要的战略价值。该技术通过模块化"积木式"设计实现高压应用，与我们在光伏逆变器和储能变流器领域对高效率、高功率密度的持续追求高度契合。 技术的核心创新在于消除了传统级联拓扑中复杂的门极控制网络和多驱动器电平转换电...
基于蓝宝石衬底、采用i线光刻实现百纳米级鳍宽的常关型准垂直GaN FinFET
Normally-Off, Quasi-Vertical GaN FinFETs on Sapphire Substrates With Fin Widths Structured by i-Line Lithography in the 100 nm Range
Matthias Sinnwell · Michael Dammann · Rachid Driad · Michael Mikulla 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年7月
本研究报告了在蓝宝石衬底上制备垂直氮化镓（GaN）鳍式场效应晶体管（FinFET）的情况。FinFET概念可实现具有密集多沟道结构的常关型晶体管。然而，使用耗时的电子束光刻技术是在晶圆级实现高效器件生产的一大障碍。因此，本研究探讨了利用i线光刻技术制造宽度小于200纳米的亚微米级细鳍片的可能性。从较宽的鳍片开始，通过湿法蚀刻使其变薄，会导致鳍片长度意外缩短，因此需要将鳍片宽度制作得远小于所使用的波长。我们的工艺证明能够实现100纳米左右的鳍片宽度。该FinFET至少由100个鳍片组成，其最大平均...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于蓝宝石基底的垂直GaN FinFET技术具有重要的战略价值。该技术实现了常关型（Normally-Off）器件，这是光伏逆变器和储能系统功率转换中的关键安全特性，可有效降低待机损耗并提升系统可靠性。 该研究最具突破性的贡献在于采用i-line光刻工艺实现了100纳...