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控制与算法 单相逆变器 功率模块 并网逆变器 ★ 4.0

具有有功功率解耦功能的单相变换器非线性控制研究

On Nonlinear Control of Single-Phase Converters With Active Power Decoupling Function

Huawei Yuan · Sinan Li · Wenlong Qi · Siew-Chong Tan 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年6月

本文提出了一种针对高功率密度、高效率和高可靠性(H3)单相变换器的非线性控制器。该控制器结合了输入输出反馈线性化与自动功率解耦(APD)策略,有效解决了单相系统中的功率脉动问题,并显著提升了系统的动态性能与可靠性。

解读: 该研究针对单相变换器功率脉动问题,通过非线性控制与有功功率解耦技术,可有效减小缓冲电容体积,提升功率密度。这对阳光电源的户用光伏逆变器及小型储能PCS产品线具有重要参考价值。在追求极致轻量化和高可靠性的户用产品设计中,应用该控制策略可优化电容选型,降低系统成本,同时提升在复杂电网环境下的输出电能质量...

拓扑与电路 PFC整流 单相逆变器 功率模块 ★ 4.0

无电解电容单相PFC整流器的最小有源开关需求

Minimum Active Switch Requirements for Single-Phase PFC Rectifiers Without Electrolytic Capacitors

Sinan Li · Wenlong Qi · Jiayang Wu · Siew-Chong Tan 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年6月

本文研究了单相整流器中通过有源脉动功率缓冲(PPB)技术减少二倍工频能量存储需求的方法。针对现有方案开关数量过多的问题,探讨了在不使用电解电容的情况下,实现高效PFC整流所需的最小有源开关配置,旨在提升功率密度与系统可靠性。

解读: 该研究对于阳光电源的户用光伏逆变器及小型充电桩产品线具有重要参考价值。通过引入有源脉动功率缓冲技术并优化开关数量,可以在不使用寿命受限的电解电容前提下,实现更紧凑的功率密度设计,显著提升户用产品的长期可靠性。建议研发团队关注该拓扑在单相小功率变换器中的应用潜力,以降低BOM成本并延长整机质保寿命,从...

拓扑与电路 PFC整流 三电平 功率模块 ★ 4.0

高功率密度单相三电平飞跨电容Buck型PFC整流器

High-Power-Density Single-Phase Three-Level Flying-Capacitor Buck PFC Rectifier

Wenlong Qi · Sinan Li · Huawei Yuan · Siew-Chong Tan 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年11月

有源脉动功率缓冲(PPB)是降低单相PFC整流器储能需求的关键技术。现有方案常面临高电压应力问题,导致损耗增加且需高压开关器件。本文提出一种新型单相三电平飞跨电容Buck型PFC整流器,旨在提升功率密度并优化电压应力。

解读: 该拓扑通过三电平飞跨电容结构有效降低了开关管的电压应力,对于阳光电源的户用光伏逆变器及充电桩产品线具有重要参考价值。在户用储能及单相并网场景中,该技术能显著提升功率密度,减小被动元件体积,从而降低整机成本并提升效率。建议研发团队关注其在单相高功率密度变换器中的应用,特别是针对需要高效率、小体积的户用...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

利用二维电子气和空穴气实现AlGaN/GaN/AlGaN双异质结MISHFET的阈值电压调控

Threshold Voltage Control in AlGaN/GaN/AlGaN Double-Heterostructure MISHFET Utilizing 2-D Electron and Hole Gases

Arno Kirchbrücher · Gerrit Lükens · Carsten Beckmann · Jasmin Ehrler 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年2月

传统的 AlGaN/GaN 金属 - 绝缘体 - 半导体异质结场效应晶体管(MISHFET)会受到电介质/AlGaN 界面处俘获电荷的影响,从而导致阈值电压不稳定和准永久性偏移。在这项工作中,我们研究了采用 Al₂O₃ 栅极电介质的 AlGaN/GaN/AlGaN 双异质结(DH)MISHFET 中这些界面态的充电过程,尤其是放电过程。经过合理设计,这些无掺杂器件包含极化诱导的二维电子气(2DEG)以及二维空穴气(2DHG)。已知在施加较大的栅极偏压后,Al₂O₃/AlGaN 界面会持续地从 2...

解读: 从阳光电源功率半导体应用角度来看,这项AlGaN/GaN双异质结MISHFET技术具有重要的战略价值。氮化镓(GaN)功率器件是我司光伏逆变器和储能变流器实现高功率密度、高效率转换的核心技术路径,而阈值电压稳定性一直是制约GaN器件可靠性的关键瓶颈。 该研究通过创新性地构建二维电子气(2DEG)和...