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拓扑与电路 GaN器件 DC-DC变换器 宽禁带半导体 ★ 4.0

一种用于车载应用、具有自生成开关信号的全集成电感式GaN升压转换器

A Fully Integrated Inductor-Based GaN Boost Converter With Self-Generated Switching Signal for Vehicular Applications

Pilsoon Choi · Ujwal Radhakrishna · Chirn-Chye Boon · Dimitri Antoniadis 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年8月

本文提出了一种基于电感的GaN直流升压转换器,通过自生成开关信号技术,省去了驱动大型晶体管开关所需的功率和面积消耗型栅极驱动器。该电路采用0.25μm GaN-on-SiC工艺,将所有有源和无源元件集成在3mm×3mm的芯片上。在680MHz开关频率下,输出电压为20V时,功率密度达到0.24 W/mm²,适用于车载应用。

解读: 该技术展示了GaN器件在极高频集成化设计中的潜力,对阳光电源的电动汽车充电桩及户用光伏逆变器产品线具有重要参考价值。通过省去栅极驱动器并实现高集成度,可显著提升功率密度并降低系统体积。建议研发团队关注其自激振荡控制策略在小型化辅助电源或车载充电模块(OBC)中的应用可行性,以进一步优化阳光电源充电桩...